步进式激光直写曝光系统-光衍未来

步进式激光直写曝光系统

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设备简介

主要功能：该设备采用激光作为光源，透过高精度的光学透镜组，最小直写精度可以达到0.6um，而且工作台平台定位激光干涉仪分辨率10 nm，能够精准的提高光刻图形的提高光刻图形的质量，实现大面积高精度无掩膜直写曝光。
主要技术指标：激光波段405nm；激光能量300mW；使用寿命约8000小时；最大基板尺寸9inch×9inch；有效曝光面积200mm×200mm；最大基板厚度6mm；Mode I：0.6um、Mode II：1um、Mode III：2um三种不同分辨率激光读写头；最小特征尺寸制作0.6um@Mode I、1um@Mode II、2um@Mode III；描绘网格10nm@Mode I、50nm@Mode II、100nm@Mode III；线宽均匀性60nm@Mode I、130nm@Mode II、180nm@Mode III；对准精度100nm@Mode I、250nm@Mode II、400nm@Mode III；光绘速度6 mm2/minute@Mode I、150 mm2/minute@Mode II、600 mm2/minute@ModeIII。
主要学科领域：信息与系统科学相关工程与技术
服务内容：该系统主要用于涂有光刻胶的各种基片，玻璃，硅片，或其它平面材料的图形曝光。广泛应用在光掩模板，半导体芯片，MEMS（微机电系统），传感器，MOEMS（微光机电），集成光学等图形的制作。
用户须知：无