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单晶炉
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设备简介
  • 主要功能:制备高纯4英寸/6英寸碳化硅单晶
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  • 主要技术指标:1)加热器最大加热功率∶ 30 KW; 2)最高加热温度∶ 2600℃;3) 温度自动调节相对偏差∶<±0.5℃ 4) 极限真空度∶<9.0×10 -6mBar) 压力稳定性∶<±0.1 mBar(0-10mBar)
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  • 主要学科领域:物理学
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  • 服务内容:制备高纯4英寸/6英寸碳化硅单晶
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  • 用户须知:
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