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原子层沉积系统
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设备简介
  • 主要功能:该设备可在不同的基板上(平面、复杂三维、多孔基板和粉末)制备薄膜,通过自限制的化学反应(脉冲CVD),可在原子量级控制薄膜厚度,同时其具有优异的沉积共形性,因此特别适合于微/纳光子器件的制作。通过改变反应前聚体,它可沉积氧化物、氟化物等介质薄膜以及Au、Ag等金属薄膜,因而它同时适合于复杂基板上高品质光学薄膜的制备。
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  • 主要技术指标:基片尺寸:最大8 英寸(200mm); 加热温度:1000C—5000C(可选配更高); 均匀性: <±1%; 前驱体数:7路(其中4路热源,3路液态源); 兼容性: 可兼容100 级超净室; 真空抽速:30-80 m3/h 气体:纯度99.999%的N2/Ar
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  • 主要学科领域:材料科学
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  • 服务内容:先进光学与光电子领域,原子层沉积也可用在在微电子high-k材料制备、材化领域囊的表面修饰等方面的应用研究。
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  • 用户须知:
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