金属(合金）、半导体、非导体等各种团簇制备；团簇表面干净，没有保护配体的干扰，可制备高活性团簇； 团簇尺寸控制范围大（2－60,000 atoms，0.5-20nm）、精度高∆m/m≈ 2.5%； 结构（核/壳）和成份可控；沉积方式和能量可控