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半导体器件霍尔效应测试系统
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设备简介
  • 主要功能：霍尔电压、电阻率、载流子浓度、载流子类型、迁移率的测试。
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  • 主要技术指标：电阻测量范围：10 mΩ ~ 200 GΩ 电流范围：±1 pA ~ ±100 mA 迁移率测试范围：1 ~ 1 × 106 cm2/V·s 温度范围：15 k ~ 350 K 室温下最大磁场：1.67 T 使用低温选件时最大磁场：0.89 T
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  • 主要学科领域：电子与通信技术,材料科学
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  • 服务内容：用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数。
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  • 用户须知：
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