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设备简介
  • 主要功能：主要功能：用于MEMS或CM0S器件的亚微米光刻工作，包括双面对准光刻。
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  • 主要技术指标：1.350W-500W汞灯，紫外NUV，波长280-450nm。 2.精度：4寸晶圆误差+/-2％，6寸晶圆误差+/-4％。 3.对准：双面对准下1-1000微米解析度。
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  • 主要学科领域：材料科学,物理学,电子与通信技术,动力与电气工程
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  • 服务内容：：物理、电子、材料、光学、生仪等专业。 应用范围：用于MEMS或CM0S器件的光刻工作。
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  • 用户须知：
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