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超高真空多靶磁控溅射系统
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设备简介
  • 主要功能：纳米级的单层及多层功能膜-各种硬质膜、介质膜、铁磁膜和磁性薄膜等的研发。
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  • 主要技术指标：本底真空(UltimatePressure):2.66×10-6Pa 沉积室尺寸(DepositionChamber):W450×D410×H450m 基片尺寸(SubstrateSize):F2~8inch 基片旋转速度(RotatingSpeed)：0~20rpm(Motordriven) 沉积功率(CathodePower):DCpowersupply500W×3sets RFpowersupply200W×2sets 基片温度（SubstrateHeating):Max.800±20 厚度均匀性(ThicknessUniformity):±3%(F80mm) 沉积速率(DepositionRate):3.0nm/min(Nifilms)，2.0nm/min(ZnOfilms)
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  • 主要学科领域：材料科学
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  •  服务内容：纳米级的单层及多层功能膜-各种硬质膜、介质膜、铁磁膜和磁性薄膜等的研发。
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  • 用户须知：
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