刻蚀设备ICP-RIE（有机）-光衍未来

刻蚀设备ICP-RIE（有机）

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设备简介

感应耦合等离子体反应离子刻蚀设备ICP-RIE（有机）
主要功能：该设备通过在反应腔室外的电磁线圈上加射频电源，急剧变化的感应电场和感应磁场相互耦合，使得初始电子获得能量轰击中性粒子，产生稳定的等离子体。等离子体在射频偏压电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面进行物理轰击同时化学反应产生挥发性气体，从而达到刻蚀的目的。该设备主要用于硅、聚合物和光刻胶、硅基介质材料如：氧化硅、氮化硅的刻蚀，控制刻蚀的形貌（同向性或异向性），并保持整个样品的均匀性，在衬底上形成的图案结构微纳米结构
主要技术指标：1) 硅衬底刻蚀（光刻胶掩模）： a) 刻蚀速率不低于 1 um/min; b) 硅:光刻胶选择性（Selectivity），不低于 2:1 c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 89 度 d) 刻蚀均匀性（Uniformity，150mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 3% ,片间(3片)< 5% ; 2) SiO2刻蚀（光刻胶掩模）： a) 刻蚀速率不低于 0.2 um/min; b) SiO2：光刻胶选择性（Selectivity），不低于 2:1 c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 89 度 d) 刻蚀均匀性（Uniformity，150mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 3% ,片间(3片)< 5% ; 3) Si3N4刻蚀（光刻胶掩模）： a) 刻蚀速率不低于 0.2 um/min; b) Si3N4：光刻胶选择性（Selectivity），不低于 2:1 c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 89 度 d) 刻蚀均匀性（Uniformity，150mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 3% ,片间(3片)< 5% ;
主要学科领域：工程与技术科学基础学科
服务内容：主要用于石英，氧化硅、硅等硅基材料，GaN、GaAs、InP和其他化合物半导体，金属膜、石墨烯等二维材料，以及PMMA等有机材料的刻蚀，形成微纳米结构。
用户须知：