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变温霍耳效应测试系统
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设备简介
  • 主要功能：用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍耳系数、磁阻等重要参数随温度的变化关系以及I-V特性
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  • 主要技术指标：磁场达到1T以上，磁场可长时间恒定运行。可测电阻范围：0.01mΩ-100mΩ；迁移率：1到100cm2Ns； 载流子浓度：最大到1022cm-3; 温度指标：10K-300K具有可扩展性，使用变温炉附件可测到600K； 添加附件可测量磁学性能；配备测量软件。
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  • 主要学科领域：材料科学,物理学
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  • 服务内容：在半导体材料、磁性材料、薄膜材料以及物理研究领域都有重要的应用。
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  • 用户须知：
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