ICP干法刻蚀机-光衍未来

ICP干法刻蚀机

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设备简介

主要功能：主要功能：等离子刻蚀是利用高频辉光放电效应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀部位，与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。其优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌。
主要技术指标：1. 反应腔室本底真空： < 1 x 10-6 mbar (1x 10-4 Pa)，抽真空2小时后 2. 反应腔室漏率： < 5 x 10-4 mbar？l/s 3. 预真空室本底真空： < 1 x 10-1 mbar (10 Pa) 4. 预真空室漏率： < 5 x 10-4 mbar？l/s 5. 样片操作：不同设置：样片进/出 6. 气路系统：测试所有质量流量计（设定值10%, 50%, 90%） 7. 压力控制：压力计/控制阀，不同压力 8. 下电极温度控制：不同设置，-30oC~ +200oC（带循环冷却器Chiller）或RT~ +250oC（外接冷却水） 9. 等离子体测试：不同设置（Ar或N2） 10. 反射功率： ≤ 1%，ICP功率 ≥ 500 W≤ 5 W，ICP功率 < 500 W 11. 其他：安全互锁、运行工艺处方（Recipe）等 12. SiC刻蚀工艺 Cr掩膜刻蚀深度：≥ 2 μm 刻蚀速率：≥ 400 nm/min 选择比：≥ 40:1 （SiC: Cr）片上不均匀性：在50 mm范围内 ≤ ±4%（6mm边除外）批间不均匀性：≤ ±5% 陡直度：85° ～ 90° 13. GaAs/AlGaAs刻蚀工艺光刻胶掩膜刻蚀深度：≥ 2 μm 刻蚀速率：≥ 400 nm/min 选择比：≥ 5:1 （GaAs: 光刻胶）片上不均匀性：在100 mm范围内 ≤ ±4%（6mm边除外）批间不均匀性：≤ ±5% 陡直度：90° ±2° 14. InP刻蚀工艺 SiO2掩膜刻蚀深度：≥ 20 μm 刻蚀速率：≥ 500 nm/min 选择比：≥ 15:1 （InP: SiO2）片上不均匀性：在100 mm范围内 ≤ ±4%（6mm边除外）批间不均匀性：≤ ±5% 陡直度：90° ±3°
主要学科领域：材料科学,物理学,电子与通信技术,动力与电气工程
服务内容：共享学科：材料学科、机械学科、电力电子学科和半导体学科。
用户须知：