- 主要功能:用于基于Si和SiC半导体材料的IGBT、MOSFET、DIODE等中小电流等级的单管分立器件的老化试验。
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- 主要技术指标:"1、支持同时对3个器件进行K系数测试、热阻测试、结构函数分析以及功率循环测试;2、加热电流源总电流不低于360A,分三个端口输出。每个端口输出电流不低于120A,电流分辨率≤1A,3、每个端口电压输出范围不小于-10~20V,分辨率≤0.01V;4、测试电流源有三个输出端口,每个端口的最大输出电流不低于1A,分辨率≤0.5mA;5、标定K系数所用温控装置的温度范围不小于0℃~140℃"
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- 主要学科领域:物理学
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- 服务内容:用于基于Si和SiC半导体材料的IGBT、MOSFET、DIODE等中小电流等级的单管分立器件的老化试验。
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- 用户须知:
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