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氩离子抛光(离子研磨)
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设备简介
  • 项目简介
  • 氩离子抛光技术/离子研磨CP(Cross section Polisher)用于SEM、EPMA、EBSD等样品的制备。依靠离子束轰击制备样品剖面,可以获得表面平滑的样品,观察范围大、清洁而且适用于几乎所有材料,而不会对样品造成机械损害。去除损伤层,从而得到高质量样品。而机械研磨抛光制备出来的样品表面粗糙不平、坑坑洼洼、划痕损伤多、界限不清。

 

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  • 样品要求
  • 1、送样前需要对样品进行预处理:样品预磨抛,样品要磨平,样品的上下表面要平行,样品抛光面至少用4000目砂纸磨平,在显微镜下看起来光滑,不粗糙。

    2、 送测样品的尺寸要求:块状样品:以待抛光区域为中心点,样品直径不超过30mm、厚度0~20mm。(超出部分需要磨平)粉末样品:10g以上。

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