晶圆分析仪-光衍未来

晶圆分析仪

立即预约

附件下载

设备简介

主要功能：碳化硅衬底片和外延片的缺陷检测
主要技术指标：1.设备支持1寸-8寸晶圆测试，并保证完成全片整面检测。 2.设备支持非整晶圆的样片（如切片等）检测，进行手动放置自动检测。 3.设备可以检测的缺陷必须至少包括：划痕（scratch），凹坑（pit），突起（bump），微管（micropipe），胡萝卜（carrot），三角形（triangle），Downfall，堆垛层错缺陷（Stacking Fault），基平面位错（BPD）等各结晶及加工缺陷。 4.设备对晶圆各处具有相同的缺陷检测灵敏度的扫描方式，并且在晶圆的周边及整面同时检测出BPD和SF缺陷。 5.设备具备可提高颗粒物（particle）、划痕（scratch）检测精度的优化设计。 6.设备需包含10倍目镜镜头，对缺陷的最大放大倍数不低于130倍，单张图像对应的视场范围不小于1.5mm×1.5mm，具有图像拼接功能可以形成整晶圆的图像。 7.设备对晶圆的缺陷可以进行图像显示和图像保存，并提供清晰的图像，图像的像素尺寸要求：表面缺陷的像素尺寸≤1.75μm/Pixel，PL检测的缺陷像素尺寸≤3.5 μm/Pixel。 8.设备对缺陷的检测精度：可成功检出并分类的缺陷最小尺寸不大于4μm。 9.设备可以检测的晶圆厚度范围300μm-800μm。 10.PL检测系统同时满足SiC衬底片、薄外延片（外延厚度在10μm以内）以及厚外延片（外延厚度在10μm-70μm范围）的检测需求。
主要学科领域：物理学
服务内容：碳化硅衬底片和外延片的缺陷检测
用户须知：