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碳化硅氧化炉
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设备简介
  • 主要功能：采用高温氧化炉对碳化硅表面进行氧化，再腐蚀氧化层，去除基片表面损伤层。在碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT器件中，采用高温氧化工艺，生成高质量低界面态密度的栅氧化层，改善SiO2/SiC界面，获得低界面陷阱密度、高MOS沟道迁移率，是研制SiC MOSFET的必不可少的工艺。
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  • 主要技术指标：最高工艺温度不低于1400℃；稳定工作温度不低于1350 oC，升温速度不低于20°C/min；炉管内真空度可低至1 mbar；腔体内可测金属污染物的含量不高于1012 atoms/cm2；具备O2、NO、N2O、Ar、N2等工艺气体高温退火能力。
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  • 主要学科领域：自然科学相关工程与技术
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  •  服务内容：3英寸、4英寸、6英寸及以下碎片的碳化硅单晶或其他半导体器件工艺中的高温氧化或退火工艺。
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  •  用户须知：无
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