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深反应刻蚀机
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设备简介
  • 主要功能：MEMS或CMOS器件的刻蚀工作，包括双面深刻蚀Si,Poly-Si,SiNx,SiO2,W,WSi,Mo,MoSi,Ta,TaSi,石英等。
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  • 主要技术指标：激励电源：13.56MHz 1500W,AE公司；带匹配器和功率计1台。 偏压电源：500W，带自动匹配器和功率计。带定时器1台。 真空系统：620升/秒分子泵，8升/秒机械泵1台，带真空计。 反应室尺寸：300mm。 气路系统：6路进气，4个质量流量计，4路显示。 可加工片子尺寸：4英寸。可双面氯基刻蚀。 均匀性：5%（4英寸内）。
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  • 主要学科领域：自然科学相关工程与技术
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  • 服务内容：用于MEMS或CMOS器件的刻蚀工作。 物理，电子，材料，光学，生仪等专业
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  • 用户须知：
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