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双面对准光刻机
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设备简介
  • 主要功能:1. 支持365nm、405nm、435nm波长,可曝光加工亚微米(>0.8μm)图形结构 2. 具有恒量模式、自动控制曝光时间、自动对准等功能 3. 配置消衍射及微镜式光学系统,可在同一设备实现“高分辨率”和“大景深”两种模式曝光,且两种模式可随时切换 4. 具有自动图像采集及存储功能,用于光刻的正面及背面图形的精确对准
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  • 主要技术指标:1. 光源:LED三光源,波长分别为365nm、405nm、436nm 2. 光强均匀性:±2.0% (6英寸衬底) 3. 曝光模式:接近式、软接触、硬接触、真空接触 4. 高分辨率: 0.8μm(真空接触) 5. 对准方式:正面对准、背面对准 6. 正面套准精度:+/-0.5μm 7. 背面套准精度:+/-1.0μm 8. 晶圆尺寸:2英寸、4英寸、6英寸、碎片(5mm ~20mm)
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  • 主要学科领域:工程与技术科学基础学科
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  • 服务内容:紫外光刻系统是目前实验室光刻技术中最为常用和重要的光刻设备,可用于各种微米级结构图形及器件的制作,如微电子器件、光电子器件、超导电子学器件等。
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