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服务简介：电力电子，中高频感应加热等装置，功率半导体器件及组件,检测设备工艺设备等系统工程，程序控制,新能源开发及应用等

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服务内容

二极管电参数测试设备
一、测试设备功能和技术指标
1.主要适用功能：本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。保证设备的安全性和使用耐久性。
2．控制方式：采用手动调压试验。对试验电参数（试验时间、电压、漏电流，）进行显示。10个工位为一组控制，共两组分别控制。可施加不同的电压试验。
3．显示方式：试验电压及漏电流用数字表显示。计时器控制实验时间。漏电流显示采用数字表查看的方式，每个个工位用1块表，即时显示本工位试验峰值漏电流值。正反向手动控制。
每10个工位为一组电压集中控制，数字表显示峰值电压。
每个工位对应一个过流保护指示灯。
二极管电参数测试设备
4．电耐久性试验设备的电参数技术指标：
4.1断态/反向重复峰值电压：0.20—8.00KV 分辨率10V,精度±3%±10V
分两档:低档：0.20-3.00KV分辨率10V,精度±3%±10V
gaodang：3.00KV-8.00KV分辨率10V,精度±3%±10V
50HZ电压连续可调
电压手动分档
电耐久性试验电压施加方式：手动调压器调压方式，10个工位为一组电压调节，共两组。
4.2试验的断态/反向重复峰值电流：1—199mA
分辨率0. 1mA，准确度 ±3%±1mA
3000V以下时，20个工位漏电流能设定到199mA。
3000V以上时，可通过减少实际负载工位数量，以达到不超设备功率负荷。8KV时zuida电流为50 mA。
每10个工位漏电流可手动设定一组保护数值，设定范围1-199 mA，保护动作时，不切断主电路，但要声光报警，被测阳极有继电器保护动作切断分支电路。其它分支电路正常工作。正反向过流均可保护动作，10个工位统一设置保护电流。统一复位
4.3 每个工位配有继电器，继电器动作时面板对应工位指示灯亮。
4.4 试验波形：交流半波/全波，面板按钮选择。
4.5 设备供电电压：电源：AC220V±1%
4.6 工位数量：20个
4.7 连接方式：机柜侧面留有接线柱
4.8 控制方式：电压在面板手动调节，漏电流设定手动调节，漏电流正反向显示手动选择
晶闸管静态参数试验台
一、测试设备功能和技术指标
1.主要适用功能：本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。保证设备的安全性和使用耐久性。
2．控制方式：采用手动调压试验。对试验电参数（试验时间、电压、漏电流，）进行显示。10个工位为一组控制，共两组分别控制。可施加不同的电压试验。
3．显示方式：试验电压及漏电流用数字表显示。计时器控制实验时间。漏电流显示采用数字表查看的方式，每个个工位用1块表，即时显示本工位试验峰值漏电流值。正反向手动控制。
每10个工位为一组电压集中控制，数字表显示峰值电压。
每个工位对应一个过流保护指示灯。
晶闸管静态参数试验台
4．电耐久性试验设备的电参数技术指标：
4.1断态/反向重复峰值电压：0.20—8.00KV 分辨率10V,精度±3%±10V
分两档:低档：0.20-3.00KV分辨率10V,精度±3%±10V
gaodang：3.00KV-8.00KV分辨率10V,精度±3%±10V
50HZ电压连续可调
电压手动分档
电耐久性试验电压施加方式：手动调压器调压方式，10个工位为一组电压调节，共两组。
自动热稳态压力夹具
本实用新型公开了一种自动压力机夹具,包括水平设置在压力机上的多对夹臂,在所述每对夹臂相对的夹持面上均设置有橡胶垫.本实用新型优点在于将夹臂的夹持面上设置有橡胶垫,这样当夹具夹持耐火砖时由于有橡胶垫的缓冲,不仅能够方便的夹取砖体,而且对耐火砖起到一定的保护作用,有效防止了耐火砖夹裂或夹破,减少了耐火砖的破损率.
自动热稳态压力夹具
核心业务为半导体功率器件测试设主要有：
MOSFET参数测试设备：
静态参数测试（包括IGSS / BVR / VDS（Sat） / IDSS / VGSTH / VF / RDS（on））；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；雪崩能力测试，老化及可靠性测试（HTRB / HTGB）。
自动热稳态压力夹具
IGBT参数测试设备：
静态参数测试（包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE / VCE）；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；老化及可靠性测试（HTRB / HTGB）。
二极管及可控硅/晶闸管（SCR）参数测试设备：
静态参数测试（包括IGT/VGT / IH / VTM / VD/ID / VR/IR / dv/dt / IL ）；动态参数测试（Turn_on&off / Qrr_FRD）；浪涌参数测试ITSM；di/dt测试；老化及可靠性测试（高温阻断）；热阻参数测试Rth。
产品以高度集成化、智能化、高速高精度、超宽测试范围等竞争优势，将广泛应用于IDM厂商、器件设计、制造、封装厂商及高校研究所等。
晶闸管电参数测试系统
一、测试设备功能和技术指标
1.主要适用功能：本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。保证设备的安全性和使用耐久性。
2．控制方式：采用手动调压试验。对试验电参数（试验时间、电压、漏电流，）进行显示。10个工位为一组控制，共两组分别控制。可施加不同的电压试验。
3．显示方式：试验电压及漏电流用数字表显示。计时器控制实验时间。漏电流显示采用数字表查看的方式，每个个工位用1块表，即时显示本工位试验峰值漏电流值。正反向手动控制。
每10个工位为一组电压集中控制，数字表显示峰值电压。
每个工位对应一个过流保护指示灯。
晶闸管电参数测试系统
4．电耐久性试验设备的电参数技术指标：
4.1断态/反向重复峰值电压：0.20—8.00KV 分辨率10V,精度±3%±10V
分两档:低档：0.20-3.00KV分辨率10V,精度±3%±10V
gaodang：3.00KV-8.00KV分辨率10V,精度±3%±10V
50HZ电压连续可调
电压手动分档
电耐久性试验电压施加方式：手动调压器调压方式，10个工位为一组电压调节，共两组。
4.2试验的断态/反向重复峰值电流：1—199mA
分辨率0. 1mA，准确度 ±3%±1mA
3000V以下时，20个工位漏电流能设定到199mA。
3000V以上时，可通过减少实际负载工位数量，以达到不超设备功率负荷。8KV时zuida电流为50 mA。
每10个工位漏电流可手动设定一组保护数值，设定范围1-199 mA，保护动作时，不切断主电路，但要声光报警，被测阳极有继电器保护动作切断分支电路。其它分支电路正常工作。正反向过流均可保护动作，10个工位统一设置保护电流。统一复位
4.3 每个工位配有继电器，继电器动作时面板对应工位指示灯亮。
4.4 试验波形：交流半波/全波，面板按钮选择。
4.5 设备供电电压：电源：AC220V±1%
4.6 工位数量：20个
4.7 连接方式：机柜侧面留有接线柱
4.8 控制方式：电压在面板手动调节，漏电流设定手动调节，漏电流正反向显示手动选择
功率模块可靠性测试仪
测试设备:针对IGBT的静态参数而研发的智能测试系统，自动快速测试可以满足用户大生产需要，故障率低，也保证了用户的生产效率，使用简洁方便。
本实用新型公开了一种自动压力机夹具,包括水平设置在压力机上的多对夹臂,在所述每对夹臂相对的夹持面上均设置有橡胶垫.本实用新型优点在于将夹臂的夹持面上设置有橡胶垫,这样当夹具夹持耐火砖时由于有橡胶垫的缓冲,不仅能够方便的夹取砖体,而且对耐火砖起到一定的保护作用,有效防止了耐火砖夹裂或夹破,减少了耐火砖的破损率.
核心业务为半导体功率器件测试设主要有：
MOSFET参数测试设备：
静态参数测试（包括IGSS / BVR / VDS（Sat） / IDSS / VGSTH / VF / RDS（on））；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；雪崩能力测试，老化及可靠性测试（HTRB / HTGB）。
IGBT参数测试设备：
静态参数测试（包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE / VCE）；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；老化及可靠性测试（HTRB / HTGB）。
二极管及可控硅/晶闸管（SCR）参数测试设备：
静态参数测试（包括IGT/VGT / IH / VTM / VD/ID / VR/IR / dv/dt / IL ）；动态参数测试（Turn_on&off / Qrr_FRD）；浪涌参数测试ITSM；di/dt测试；老化及可靠性测试（高温阻断）；热阻参数测试Rth。
产品以高度集成化、智能化、高速高精度、超宽测试范围等竞争优势，将广泛应用于IDM厂商、器件设计、制造、封装厂商及高校研究所等。
晶闸管阻断特性测试仪
一、测试设备功能和技术指标
1.主要适用功能：本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。保证设备的安全性和使用耐久性。
2．控制方式：采用手动调压试验。对试验电参数（试验时间、电压、漏电流，）进行显示。10个工位为一组控制，共两组分别控制。可施加不同的电压试验。
3．显示方式：试验电压及漏电流用数字表显示。计时器控制实验时间。漏电流显示采用数字表查看的方式，每个个工位用1块表，即时显示本工位试验峰值漏电流值。正反向手动控制。
每10个工位为一组电压集中控制，数字表显示峰值电压。
每个工位对应一个过流保护指示灯。
晶闸管阻断特性测试仪
4．电耐久性试验设备的电参数技术指标：
4.1断态/反向重复峰值电压：0.20—8.00KV 分辨率10V,精度±3%±10V
分两档:低档：0.20-3.00KV分辨率10V,精度±3%±10V
gaodang：3.00KV-8.00KV分辨率10V,精度±3%±10V
50HZ电压连续可调
电压手动分档
电耐久性试验电压施加方式：手动调压器调压方式，10个工位为一组电压调节，共两组。
4.2试验的断态/反向重复峰值电流：1—199mA
分辨率0. 1mA，准确度 ±3%±1mA
3000V以下时，20个工位漏电流能设定到199mA。
3000V以上时，可通过减少实际负载工位数量，以达到不超设备功率负荷。8KV时zuida电流为50 mA。
每10个工位漏电流可手动设定一组保护数值，设定范围1-199 mA，保护动作时，不切断主电路，但要声光报警，被测阳极有继电器保护动作切断分支电路。其它分支电路正常工作。正反向过流均可保护动作，10个工位统一设置保护电流。统一复位
4.3 每个工位配有继电器，继电器动作时面板对应工位指示灯亮。
4.4 试验波形：交流半波/全波，面板按钮选择。
4.5 设备供电电压：电源：AC220V±1%
4.6 工位数量：20个
4.7 连接方式：机柜侧面留有接线柱
4.8 控制方式：电压在面板手动调节，漏电流设定手动调节，漏电流正反向显示手动选择
电力半导体动态测试台
一. 功能简介
全动态测试的基本原理是在一个工频半周内对被测元件施加半波电流，电流的平均值由元件的额定电流值决定，而在另一个半周内施加正向或反向的正弦半波阻断电压，测量它的动态阻断伏安特性，它模拟了元件在整流电路中的工作情况。
全动态测试法是对元件的通态电流能力、阻断电压能力的一种综合测试，已被国内广大用户所接受。
本试验台可对器件的室温特性及正向压降等几个参数进行测试，试验台在试验时，可根据需要对试验时间进行设定，试验台有平均漏电流显示，并具有保护功能。
电力半导体动态测试台
二. 技术条件：
1．适用范围：
本电源适用于300A以下的模块型整流二极管及模块型晶闸管的性能考核。本实验台的测试方法参照原行业全动态测试方法。
2．动态测试的技术指标：
1）平均电流ITAV：低档：约20—50A 精度±5% 分辨率1A
gaodang：约50—300A 精度±5% 分辨率1A
指针表显示
电流波形为近似正选半波，导通角170°左右
阻断电压波形为底宽10mS的正弦半波
电流调节：手动调压器
2）平均压降：VTAV=0.1—2.5V 精度±3% 分辨率0.01 V
指针表显示
3）正反向不重复峰值电压：200—3000V 精度±5% 分辨率10V
4）正反向峰值漏电流IDRM、IRRM：0.1-20 mA
精度±3%，分辨率0.01
保护漏电流1-20 mA
峰值阻断电压、电流为数字表显示
阻断电压为手动调节
5）测试频率：50HZ
6）伏安特性具有过流保护及过流指示。
7）电源主电路开关器件采用水冷却，保证动态考核的准确性。
8）连接被测方式：手动连接
高温反偏测试设备
一、测试设备功能和技术指标
1.主要适用功能：本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。保证设备的安全性和使用耐久性。
2．控制方式：采用手动调压试验。对试验电参数（试验时间、电压、漏电流，）进行显示。10个工位为一组控制，共两组分别控制。可施加不同的电压试验。
3．显示方式：试验电压及漏电流用数字表显示。计时器控制实验时间。漏电流显示采用数字表查看的方式，每个个工位用1块表，即时显示本工位试验峰值漏电流值。正反向手动控制。
每10个工位为一组电压集中控制，数字表显示峰值电压。
每个工位对应一个过流保护指示灯。
高温反偏测试设备
4．电耐久性试验设备的电参数技术指标：
4.1断态/反向重复峰值电压：0.20—8.00KV 分辨率10V,精度±3%±10V
分两档:低档：0.20-3.00KV分辨率10V,精度±3%±10V
gaodang：3.00KV-8.00KV分辨率10V,精度±3%±10V
50HZ电压连续可调
电压手动分档
电耐久性试验电压施加方式：手动调压器调压方式，10个工位为一组电压调节，共两组。
高温反偏测试设备
4.2试验的断态/反向重复峰值电流：1—199mA
分辨率0. 1mA，准确度 ±3%±1mA
3000V以下时，20个工位漏电流能设定到199mA。
3000V以上时，可通过减少实际负载工位数量，以达到不超设备功率负荷。8KV时zuida电流为50 mA。
每10个工位漏电流可手动设定一组保护数值，设定范围1-199 mA，保护动作时，不切断主电路，但要声光报警，被测阳极有继电器保护动作切断分支电路。其它分支电路正常工作。正反向过流均可保护动作，10个工位统一设置保护电流。统一复位
4.3 每个工位配有继电器，继电器动作时面板对应工位指示灯亮。
4.4 试验波形：交流半波/全波，面板按钮选择。
4.5 设备供电电压：电源：AC220V±1%
4.6 工位数量：20个
4.7 连接方式：机柜侧面留有接线柱
4.8 控制方式：电压在面板手动调节，漏电流设定手动调节，漏电流正反向显示手动选择
交流阻断耐久性试验台
一、测试设备功能和技术指标
1.主要适用功能：本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。保证设备的安全性和使用耐久性。
2．控制方式：采用手动调压试验。对试验电参数（试验时间、电压、漏电流，）进行显示。10个工位为一组控制，共两组分别控制。可施加不同的电压试验。
3．显示方式：试验电压及漏电流用数字表显示。计时器控制实验时间。漏电流显示采用数字表查看的方式，每个个工位用1块表，即时显示本工位试验峰值漏电流值。正反向手动控制。
每10个工位为一组电压集中控制，数字表显示峰值电压。
每个工位对应一个过流保护指示灯。
交流阻断耐久性试验台
4．电耐久性试验设备的电参数技术指标：
4.1断态/反向重复峰值电压：0.20—8.00KV 分辨率10V,精度±3%±10V
分两档:低档：0.20-3.00KV分辨率10V,精度±3%±10V
gaodang：3.00KV-8.00KV分辨率10V,精度±3%±10V
50HZ电压连续可调
电压手动分档
电耐久性试验电压施加方式：手动调压器调压方式，10个工位为一组电压调节，共两组。
交流阻断耐久性试验台
4.2试验的断态/反向重复峰值电流：1—199mA
分辨率0. 1mA，准确度 ±3%±1mA
3000V以下时，20个工位漏电流能设定到199mA。
3000V以上时，可通过减少实际负载工位数量，以达到不超设备功率负荷。8KV时zuida电流为50 mA。
每10个工位漏电流可手动设定一组保护数值，设定范围1-199 mA，保护动作时，不切断主电路，但要声光报警，被测阳极有继电器保护动作切断分支电路。其它分支电路正常工作。正反向过流均可保护动作，10个工位统一设置保护电流。统一复位
4.3 每个工位配有继电器，继电器动作时面板对应工位指示灯亮。
4.4 试验波形：交流半波/全波，面板按钮选择。
4.5 设备供电电压：电源：AC220V±1%
4.6 工位数量：20个
4.7 连接方式：机柜侧面留有接线柱
4.8 控制方式：电压在面板手动调节，漏电流设定手动调节，漏电流正反向显示手动选择
模块高温阻断测试设备
一、测试设备功能和技术指标
1.主要适用功能：本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。保证设备的安全性和使用耐久性。
2．控制方式：采用手动调压试验。对试验电参数（试验时间、电压、漏电流，）进行显示。10个工位为一组控制，共两组分别控制。可施加不同的电压试验。
3．显示方式：试验电压及漏电流用数字表显示。计时器控制实验时间。漏电流显示采用数字表查看的方式，每个个工位用1块表，即时显示本工位试验峰值漏电流值。正反向手动控制。
每10个工位为一组电压集中控制，数字表显示峰值电压。
每个工位对应一个过流保护指示灯。
模块高温阻断测试设备
4．电耐久性试验设备的电参数技术指标：
4.1断态/反向重复峰值电压：0.20—8.00KV 分辨率10V,精度±3%±10V
分两档:低档：0.20-3.00KV分辨率10V,精度±3%±10V
gaodang：3.00KV-8.00KV分辨率10V,精度±3%±10V
50HZ电压连续可调
电压手动分档
电耐久性试验电压施加方式：手动调压器调压方式，10个工位为一组电压调节，共两组。
4.2试验的断态/反向重复峰值电流：1—199mA
分辨率0. 1mA，准确度 ±3%±1mA
3000V以下时，20个工位漏电流能设定到199mA。
3000V以上时，可通过减少实际负载工位数量，以达到不超设备功率负荷。8KV时zuida电流为50 mA。
每10个工位漏电流可手动设定一组保护数值，设定范围1-199 mA，保护动作时，不切断主电路，但要声光报警，被测阳极有继电器保护动作切断分支电路。其它分支电路正常工作。正反向过流均可保护动作，10个工位统一设置保护电流。统一复位
4.3 每个工位配有继电器，继电器动作时面板对应工位指示灯亮。
4.4 试验波形：交流半波/全波，面板按钮选择。
4.5 设备供电电压：电源：AC220V±1%
4.6 工位数量：20个
4.7 连接方式：机柜侧面留有接线柱
4.8 控制方式：电压在面板手动调节，漏电流设定手动调节，漏电流正反向显示手动选择
功率器件换相时间测试
电路换相关断时间定义为外部切换主电路后，通态电流降至零瞬间，和器件能承受而不致转折的断态电压急剧上升过零或zui早的低的正值瞬间之间的时间间隔。其测试原理是在反向恢复测试后施加特定电压上升率的再加电压，调整电压和电流的间隔时间找到临界值，读出电流下降到零点到电压上升。
功率器件换相时间测试
技术条件：
环境温度： 5—35℃;
相对湿度：小于60%；
大气压力： 80Kpa —106Kpa。到零点的时间。
供电电网：单向220V±10%；
电网频率： 50Hz±1Hz；
输入功率：小于5KW。
zuida关断电流ITGQM：200~20000A,连续可调，分辨率1A精度±3%±30A ，导通电流宽度zuida5mS
zuida电路换相关断时间：≥2000μs
主电容电压为100～4500V，连续可调，分辨率1V，容许偏差±3%±5V
电感的分档为100u～1000uH,分4档，自动切换
关断反馈延迟时间：tdoff SF 0～20μs 分辨率0.01μs 容许偏差±5%±0.05μs
关断延迟时间：td(off) 0～20μs 分辨率0.01μs ，容许偏差±5%±0.05μs
断态电压上升率：dv/dt zuida5000V/μs 分辨率1V/μs，容许偏差±5%±10V/μs
通态电流下降率：-di/dt zuida-1000A/μs 分辨率1A/μs，容许偏差±5%±10A/μs
控温范围：25-180℃，精度2%±1℃
可以满足150KN的自动控温夹具
功率器件换相时间测试
核心业务为半导体功率器件测试设主要有：
MOSFET参数测试设备：
静态参数测试（包括IGSS / BVR / VDS（Sat） / IDSS / VGSTH / VF / RDS（on））；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；雪崩能力测试，老化及可靠性测试（HTRB / HTGB）。
IGBT参数测试设备：
静态参数测试（包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE / VCE）；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；老化及可靠性测试（HTRB / HTGB）。
二极管及可控硅/晶闸管（SCR）参数测试设备：
静态参数测试（包括IGT/VGT / IH / VTM / VD/ID / VR/IR / dv/dt / IL ）；动态参数测试（Turn_on&off / Qrr_FRD）；浪涌参数测试ITSM；di/dt测试；老化及可靠性测试（高温阻断）；热阻参数测试Rth。
产品以高度集成化、智能化、高速高精度、超宽测试范围等竞争优势，将广泛应用于IDM厂商、器件设计、制造、封装厂商及高校研究所等。
可控硅静态综合测试仪
一、产品简介
该测试系统是晶闸管、整流二极管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。
该套测试设备主要有以下几个单元组成：
1) 门极触发参数测试单元
2) 维持电流测试单元
3) 阻断参数测试单元
4) 通态压降参数测试单元
5) 电压上升率参数测试单元
6) 擎住电流
7) 门极电阻
8) 计算机控制系统
9) 合格证标签打印
10) 夹具单元；包含平板夹具和模块夹具
可控硅静态综合测试仪
二、技术条件
主要技术指标：
2.1 门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT
1. 阳极电压：12V;
2. 阳极串联电阻：6Ω;
3. 门极触发电压：0.3～5.00V±3%±10mV;
4. 门极触发电流：2～450mA±3%±1 mA;
2.2 维持电流测试单元IH
1. 阳极电压：12V;
2. 预导通电流：＞10A,正弦衰减波；
3. 维持电流： 2～450mA ±5%±1 mA;
4. 测试频率：单次；
2.3 通态压降测试单元VTM
1. 平板器件通态电流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；
2. 模块器件通态电流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；
3. 电流上升沿时间：≥5ms；
4. 通态压降测试范围： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%；
5. 测试频率：单次；
2.4 断态电压/断态漏电流VD/ID；反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元
1. 阻断电压：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%；
模块单元阻断电压：0.20～4.00kV
2. 正反向自动测试：
3．正/反向漏电流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA；
精度：±5%±1 mA；
4. 输出保护电压和电流可计算机设定范围值；在测试时电压或漏电流超过所设定的范围则自动保护。
5. 测试频率： 50HZ
2.5 断态电压临界上升率测试单元dv/dt
1. 电压：1200V,1600V,2000V三档，分辨率：1V，精度±5%；
2. 电压过冲范围：＜50V±10%
3. DV/DT电压上升率三挡选择：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%；
2.6 擎住电流I_L_：100-1800mA
2.7 平板夹具压力范围：6-60KN，气动加压方式
可控硅静态综合测试仪
三、功能概述
3-1测试功能范围
该套测试设备主要可测试以下参数：
1. 门极参数测试：V_GT、I_GT
2. 维持电流测试：I_H
3. 阻断参数测试：本测试单元可用以测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二极管的VRRM、IRRM等参数。
4. 压降单元
本测试单元用来测量晶闸管、整流管的V_TM、I_TM、V_FM、I_FM等参数。
5、电压上升率参数测试：dv/dt
6、擎住电流I_L
7、门极电阻：适合门极触发电压在0.95V以上器件测试
3-2、测试方法和测试准则及原理满足 IEC 60747-6-2000 中关于晶闸管测试的具体规定。
碳化硅雪崩能量测试仪
一、产品简介
n 雪崩能量测试台，是专门设计测试IGBT、二极管、MOS管测试设备，对于那些在应用过程中功率器件两端产生较大电压的尖峰应用，就要考虑器件的雪崩能量，电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量。但是，一些电源在输出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。
n 该设备主要组成单元有：示波器、程控电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保护电路、计算机程控系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器等
设备优势
n 采用示波器实时采集记录测试波形，通过高精度、高带宽的柔性电流探头、高压探头直接采集被测器件的雪崩电压和雪崩电流测试数据。测试结果真实准确。
n 任意电感值采用程控切换方式，测试过程自动快速。
n 设备具有二极管测试和MOS/IGBT自关断测试两种工作模式。
n 整体采用轮式机柜集成测试，具有简洁的人机交互界面（计算机）和良好的保护措施，操作简单，移动方便等特点。
n 波形具有实时显示和保存功能，测试结果数据可转化excel进行保存处理。
碳化硅雪崩能量测试仪
二、使用要求
l 进线电压： AC220V±10%
l 功率消耗； 1.5KW
碳化硅雪崩能量测试仪
三、技术指标
l 电源电压：10-200V 分辨率1V,误差3%
l 雪崩电压：100-3500V 实测范围值（根据客户要求可定制）
l 雪崩能量：实测1-100J 实测计算值
l 雪崩电流：1.0-200A 实测值。分辨率1V,误差3%（根据客户要求可定制测试范围）
l 电感： 0.1-100mH任选测试值，测试过程自动执行，误差5%
l 雪崩电压波形：近似方波
l 脉冲宽度：10uS-10000uS
l 测试频率：单次、步进
10uS方波浪涌测试仪
一、产品简介
浪涌电流测试仪，是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备，该设备具有如下特点：
1、该系统的测试控制采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。
2、该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。
3、该套测试设备主要由以下几个单元组成：
a、浪涌测试单元
b、阻断参数测试单元
c、计算机控制系统
10uS方波浪涌测试仪
二、技术条件
2.1 环境要求：
1、环境温度：8—35℃
2、相对湿度：小于75%
3、大气压力：86Kpa—106Kpa
4、海拔高度：1000米以下
5、电网电压：AC220V±10%无严重谐波
6、电网频率：50Hz±1Hz
7、电源功率：小于5KW
8、供电电网功率因数：＞0.9
2.2主要技术指标：
2.2.1浪涌测试单元
a.通态不重复浪涌电流范围：30～2000A（可选到20000A），分辨率1A,精度＜2%±1
b.浪涌电流底宽： 10ms正弦半波，偏差小于±0.2ms（可选1mS.2mS.8.3mS等）
c. 重复浪涌电流时间（可设定）：2S～10S
d.浪涌电流重复次数：1～100次，可设定
e.浪涌电流下的压降测试(仅对正弦波，可选方波)
f.浪涌波形和压降波形显示和保存(仅对正弦波，可选方波)
g 10uS方波电流范围100-2000A，分辨率1A,精度＜3%±1（可选5000A）
2.2.2阻断测试
a.反向电压：100V～1800V可调
b.反向电压重复频率：DC直流
c.漏电流0.01～2mA，分辨率0.001mA,精度满量程的±5%
e.测试方式：自动测试；
g,适合封装：TO-220、TO-247、TO-3P
2.2.3加热功能（可选功能）：显示温度：0-180℃
控温范围：90-180℃
90-125℃ 精度误差1.5%±1
125-150℃精度误差1%±1
150-180℃精度误差2%±1
10uS方波浪涌测试仪
三、功能概述
3.1测试范围
该套测试设备主要可测试以下器件：
封装：TO-220、TO-247、TO-3P，（其它封装可更换测试夹具工装或可用连线方式）
手动安装测试器件
3.2计算机控制系统
计算机控制系统是该设备的中心控制单元，设备的所有工作程序，工作时序，开关的动作状态，数据的采集等均由计算机完成。
计算机采用的是工业控制机，具有抗电磁ganraoneng力强，排风量大等特点。
四、面板说明
机柜尺寸：800*800*1800带操作台板
一. 功能简介
IGBT动态参数测试系统的基本原理是在一个工频半周内对被测元件施加半波电流，电流的平均值由元件的额定电流值决定，而在另一个半周内施加正向或反向的正弦半波阻断电压，测量它的动态阻断伏安特性，它模拟了元件在整流电路中的工作情况。
IGBT动态参数测试系统是对元件的通态电流能力、阻断电压能力的一种综合测试，已被国内广大用户所接受。
本试验台可对器件的室温特性及正向压降等几个参数进行测试，试验台在试验时，可根据需要对试验时间进行设定，试验台有平均漏电流显示，并具有保护功能。
IGBT动态参数测试系统
二. 技术条件：
1．适用范围：
本电源适用于300A以下的模块型整流二极管及模块型晶闸管的性能考核。本实验台的测试方法参照原行业全动态测试方法。
2．动态测试的技术指标：
1）平均电流ITAV：低档：约20—50A 精度±5% 分辨率1A
gaodang：约50—300A 精度±5% 分辨率1A
指针表显示
电流波形为近似正选半波，导通角170°左右
阻断电压波形为底宽10mS的正弦半波
电流调节：手动调压器
2）平均压降：VTAV=0.1—2.5V 精度±3% 分辨率0.01 V
指针表显示
3）正反向不重复峰值电压：200—3000V 精度±5% 分辨率10V
4）正反向峰值漏电流IDRM、IRRM：0.1-20 mA
精度±3%，分辨率0.01
保护漏电流1-20 mA
峰值阻断电压、电流为数字表显示
阻断电压为手动调节
5）测试频率：50HZ
6）伏安特性具有过流保护及过流指示。
7）电源主电路开关器件采用水冷却，保证动态考核的准确性。
8）连接被测方式：手动连接
一、产品简介
IGBT静态参数测试系统是晶闸管、整流二极管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。
该套测试设备主要有以下几个单元组成：
1) 门极触发参数测试单元
2) 维持电流测试单元
3) 阻断参数测试单元
4) 通态压降参数测试单元
5) 电压上升率参数测试单元
6) 擎住电流
7) 门极电阻
8) 计算机控制系统
9) 合格证标签打印
10) 夹具单元；包含平板夹具和模块夹具
二、技术条件
IGBT静态参数测试系统主要技术指标：
2.1 门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT
1. 阳极电压：12V;
2. 阳极串联电阻：6Ω;
3. 门极触发电压：0.3～5.00V±3%±10mV;
4. 门极触发电流：2～450mA±3%±1 mA;
2.2 维持电流测试单元IH
1. 阳极电压：12V;
2. 预导通电流：＞10A,正弦衰减波；
3. 维持电流： 2～450mA ±5%±1 mA;
4. 测试频率：单次；
2.3 通态压降测试单元VTM
1. 平板器件通态电流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；
2. 模块器件通态电流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；
3. 电流上升沿时间：≥5ms；
4. 通态压降测试范围： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%；
5. 测试频率：单次；
2.4 断态电压/断态漏电流VD/ID；反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元
1. 阻断电压：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%；
模块单元阻断电压：0.20～4.00kV
2. 正反向自动测试：
3．正/反向漏电流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA；
精度：±5%±1 mA；
4. 输出保护电压和电流可计算机设定范围值；在测试时电压或漏电流超过所设定的范围则自动保护。
5. 测试频率： 50HZ
2.5 断态电压临界上升率测试单元dv/dt
1. 电压：1200V,1600V,2000V三档，分辨率：1V，精度±5%；
2. 电压过冲范围：＜50V±10%
3. DV/DT电压上升率三挡选择：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%；
2.6 擎住电流I_L_：100-1800mA
2.7 平板夹具压力范围：6-60KN，气动加压方式
三、功能概述
3-1测试功能范围
IGBT静态参数测试系统主要可测试以下参数：
1. 门极参数测试：V_GT、I_GT
2. 维持电流测试：I_H
3. 阻断参数测试：本测试单元可用以测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二极管的VRRM、IRRM等参数。
4. 压降单元
本测试单元用来测量晶闸管、整流管的V_TM、I_TM、V_FM、I_FM等参数。
5、电压上升率参数测试：dv/dt
6、擎住电流I_L
7、门极电阻：适合门极触发电压在0.95V以上器件测试
3-2、测试方法和测试准则及原理满足 IEC 60747-6-2000 中关于晶闸管测试的具体规定。