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光刻纳米压印（光刻机）
简介：紫外光波长：350-450 nm 光强：20 mw/cm2 （365 nm） 30 mw/cm2（405 nm） 光均匀性：±3 % 接近式曝光距离1-999 um，精度1 um Step 分辨率：0.8 um 套准精度：±0.5 um XY平台移动范围：±5 mm，±5°；移动精度：0.1 um，4E-5° 衬底：2'*2', 4'*4' 掩膜版：3', 5'
图形转换及纳米压印系统（光刻机）
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