设备预约-光衍未来

第一性原理计算模拟平台

1. 请务必确认理解所选择的计算内容，凡是在结果交付后，另外补加的要求或者提出和原要求不符的其他计算内容，需另外评估是否收费。
2. 请务必提供自己确准的体系结构文件，结果交付后，不接受因为结构提供错误提出的更改模型的售后要求。
3. 请务必确认信息提供准确且没有遗漏，信息尽量提供全面，如果在计算开始以后，又增加信息，视情况协商对原方案的影响以及收费情况。
4. 对于软件版权问题，需要自己解决，如果需要我方解决，请提前沟通说明，我们尽量解决，但不必须确保解决，不接受因此不付款的理由。
5. 最后结果交付内容包括：计算方法（不是计算结果的分析）的说明，最终的结构文件，某些涉及作图所需的数据。除以上内容之外，有其他要求，请提前说明。交付结果后，另外提出的要求，我们会尽量协助解决，但不保证一定能解决。
6. 我们保证计算结果的真实性和有效性，但是无法保证计算结果一定符合您的预期，请务必确认该风险。
7. 我们不承担拒稿责任哦，但是我们会尽量协助解决审稿意见的问题，涉及需要补算的内容，需要另评估收费。
8. 交付结果后，请在一周内反馈结果问题。长时间不查看结果，结果问题反馈时间距离交付结果时间太久的，我们视情况进行问题的解答（因为源数据不一定还有保留，所以一定要及时反馈哦）。
9. 再次提醒：有不懂的可以多交流，但是交付结果后，请不要以“我不懂计算”为理由，提出不对应原方案的另外的要求，我们最终交付结果均以方案为核对参考。

星蕴 STI 系列产品，4U 机架式或塔式服务器，科研领域首选高性价比产品，采用两颗 Intel Xeon Scalable 系列 CPU，最大支持 112 核 224 线程，支持六通道、八通道 2TB DDR4/DDR5 高性能 RECC 内存，具有智能纠错功能；采用高速 SSD 作为系统盘，数秒之内可轻松进入操作系统，搭配大容量机械硬盘，性能与存储齐头并进；可选配
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能带

计算内容：能带（Energy Band）
概念描述：能带，能带结构可以解释固体中导体、半导体、绝缘体三大类区别的由来。一般常见的金属材料，因为其传导带与价带之间的“能隙”非常小，在室温下电子很容易获得能量而跳跃至传导带而导电，而绝缘材料则因为能隙很大，电子很难跳跃至传导带，所以无法导电。一般半导体材料的能隙介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间距，此材料就能导电。

在通常的能带结构中，会涉及到以下几个概念：费米能级以下的称为价带（valence band，VB），价带能量最高的地方称为价带顶（VBM，valance band maximum）;费米能级以上的称为导带（conduction band，CB），导带能量最低的地方称为导带底（CBM，conduction band minimum）；CBM和VBM之间的宽度称为带隙，一般用Eg表示；如果CBM和VBM在同一波矢方向，则该材料是直接带隙半导体；如果不在同一波矢方向，则是间接带隙半导体。
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5. 最后结果交付内容包括：计算方法（不是计算结果的分析）的说明，最终的结构文件，某些涉及作图所需的数据。除以上内容之外，有其他要求，请提前说明。交付结果后，另外提出的要求，我们会尽量协助解决，但不保证一定能解决。
6. 我们保证计算结果的真实性和有效性，但是无法保证计算结果一定符合您的预期，请务必确认该风险。
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8. 交付结果后，请在一周内反馈结果问题。长时间不查看结果，结果问题反馈时间距离交付结果时间太久的，我们视情况进行问题的解答（因为源数据不一定还有保留，所以一定要及时反馈哦）。
9. 再次提醒：有不懂的可以多交流，但是交付结果后，请不要以“我不懂计算”为理由，提出不对应原方案的另外的要求，我们最终交付结果均以方案为核对参考。

第一性原理计算的基本思想是将多个原子构成的体系看成是由多个电子和原子核组成的系统，并根据量子力学的基本原理对问题进行最大限度的“非经验性”处理。它只需要5个基本常数（m0，e，h，c，kB）就可以计算出体系的能量和电子结构等物理性质。它可以确定已知材料的结构和基础性质，并实现原子级别的精准控制，是现阶段解决实验理论问题和预测新材料结构性能的有力工具。并且，第一性原理计算不需要开展真实的实验，极大地节省了实验成本，现已被广泛应用于化学、物理、生命科学和材料学等领域。
适合的研究方向包括但不限于：催化、电池、半导体、金属材料、非金属材料、合金、纳米材料等
可以计算的体系包括但不限于：晶体、非晶、二维材料、表面、界面、固体等
常用软件：VASP，MS，CP2K，QE等
可以计算的内容包括但不限于：
材料的几何结构参数（如键长、键角、二面角、晶格常数、原子位置等）
材料的电子结构信息（如电荷密度、电荷差分密度、态密度、能带、费米能级、功函数、ELF等）
材料的光学性质（如介电常数等）
材料的力学性质（如弹性模量等）
材料的磁学性质（如磁导率等）
材料的晶格动力学性质（如声子谱等）
材料的表面性质（如吸附能，催化计算等）
复合材料的性质（异质结等内容）等等

样品要求
最好提供晶体结构文件，即cif文件；
或者可以提供与XRD实验数据匹配的PDF卡片信息；
如果是表面结构，还需要提供晶面信息；如结构有改性（空位、掺杂、位错等），还需要说明细节

已测试 982 次平均 15 个工作日完成 100% 对测试结果满意

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原子电荷

计算内容：原子电荷（Atomic charge）
概念描述：能带，能带结构可以解释固体中导体、半导体、绝缘体三大类区别的由来。一般常见的金属材料，因为其传导带与价带之间的“能隙”非常小，在室温下电子很容易获得能量而跳跃至传导带而导电，而绝缘材料则因为能隙很大，电子很难跳跃至传导带，所以无法导电。一般半导体材料的能隙介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间距，此材料就能导电。
在通常的能带结构中，会涉及到以下几个概念：费米能级以下的称为价带（valence band，VB），价带能量最高的地方称为价带顶（VBM，valance band maximum）;费米能级以上的称为导带（conduction band，CB），导带能量最低的地方称为导带底（CBM，conduction band minimum）；CBM和VBM之间的宽度称为带隙，一般用Eg表示；如果CBM和VBM在同一波矢方向，则该材料是直接带隙半导体；如果不在同一波矢方向，则是间接带隙半导体。
1.请务必确认理解所选择的计算内容，凡是在结果交付后，另外补加的要求或者提出和原要求不符的其他计算内容，需另外评估是否收费。
2. 请务必提供自己确准的体系结构文件，结果交付后，不接受因为结构提供错误提出的更改模型的售后要求。
3. 请务必确认信息提供准确且没有遗漏，信息尽量提供全面，如果在计算开始以后，又增加信息，视情况协商对原方案的影响以及收费情况。
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7. 我们不承担拒稿责任哦，但是我们会尽量协助解决审稿意见的问题，涉及需要补算的内容，需要另评估收费。
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第一性原理计算的基本思想是将多个原子构成的体系看成是由多个电子和原子核组成的系统，并根据量子力学的基本原理对问题进行最大限度的“非经验性”处理。它只需要5个基本常数（m0，e，h，c，kB）就可以计算出体系的能量和电子结构等物理性质。它可以确定已知材料的结构和基础性质，并实现原子级别的精准控制，是现阶段解决实验理论问题和预测新材料结构性能的有力工具。并且，第一性原理计算不需要开展真实的实验，极大地节省了实验成本，现已被广泛应用于化学、物理、生命科学和材料学等领域。
适合的研究方向包括但不限于：催化、电池、半导体、金属材料、非金属材料、合金、纳米材料等
可以计算的体系包括但不限于：晶体、非晶、二维材料、表面、界面、固体等
常用软件：VASP，MS，CP2K，QE等
可以计算的内容包括但不限于：
材料的几何结构参数（如键长、键角、二面角、晶格常数、原子位置等）
材料的电子结构信息（如电荷密度、电荷差分密度、态密度、能带、费米能级、功函数、ELF等）
材料的光学性质（如介电常数等）
材料的力学性质（如弹性模量等）
材料的磁学性质（如磁导率等）
材料的晶格动力学性质（如声子谱等）
材料的表面性质（如吸附能，催化计算等）
复合材料的性质（异质结等内容）等等

样品要求
最好提供晶体结构文件，即cif文件；
或者可以提供与XRD实验数据匹配的PDF卡片信息；
如果是表面结构，还需要提供晶面信息；如结构有改性（空位、掺杂、位错等），还需要说明细节

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差分密度

1.请务必确认理解所选择的计算内容，凡是在结果交付后，另外补加的要求或者提出和原要求不符的其他计算内容，需另外评估是否收费。
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3. 请务必确认信息提供准确且没有遗漏，信息尽量提供全面，如果在计算开始以后，又增加信息，视情况协商对原方案的影响以及收费情况。
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第一性原理计算的基本思想是将多个原子构成的体系看成是由多个电子和原子核组成的系统，并根据量子力学的基本原理对问题进行最大限度的“非经验性”处理。它只需要5个基本常数（m0，e，h，c，kB）就可以计算出体系的能量和电子结构等物理性质。它可以确定已知材料的结构和基础性质，并实现原子级别的精准控制，是现阶段解决实验理论问题和预测新材料结构性能的有力工具。并且，第一性原理计算不需要开展真实的实验，极大地节省了实验成本，现已被广泛应用于化学、物理、生命科学和材料学等领域。
适合的研究方向包括但不限于：催化、电池、半导体、金属材料、非金属材料、合金、纳米材料等
可以计算的体系包括但不限于：晶体、非晶、二维材料、表面、界面、固体等
常用软件：VASP，MS，CP2K，QE等
可以计算的内容包括但不限于：
材料的几何结构参数（如键长、键角、二面角、晶格常数、原子位置等）
材料的电子结构信息（如电荷密度、电荷差分密度、态密度、能带、费米能级、功函数、ELF等）
材料的光学性质（如介电常数等）
材料的力学性质（如弹性模量等）
材料的磁学性质（如磁导率等）
材料的晶格动力学性质（如声子谱等）
材料的表面性质（如吸附能，催化计算等）
复合材料的性质（异质结等内容）等等

样品要求
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或者可以提供与XRD实验数据匹配的PDF卡片信息；
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电荷密度

计算内容：电荷密度（Charge density）
（1）定义及意义
第一性原理中的电荷密度指的是电子密度。根据哥本哈根解释，量子在空间某处出现的概率密度等于波函数的平方。由此可以得到体系中电子在任一点处的密度。
（2）结果案例展示
电子密度总是倾向于在原子核附近聚集，通过观察电子密度无法得到任何有价值的信息。因此关心的几乎总是差分密度。
说明：To study the variation of the active sites in the S-doped and vacancy-defected g-C3N4, we calculated partial charge density corresponded to VBM, gap states and CBM. Fig. 3(d) shows the partial charge density of the SN2-doped system. For the CBM, the electrons mainly come from the C and N2 atoms in two of the intact triazine units, while the VBM is mainly contributed by the N2 and S atoms in the S-doped triazine unit, aided by the N2 atoms around the doped site. Additionally, the gap states originate from the C atoms and S atom in the S-doped unit. The partial charge density of VN2-defected g-C3N4 is plotted in Fig. 3(e). One can see that the CBM and gap states are both contributed by the defected triazine unit, while the VBM is contributed by all N2 atoms in the whole calculational supercell. Fig. 3(f) shows the case of g-C3N4 with C-vacancy. Clearly, the partial charge density corresponded to the CBM and VBM are similar to that in the pristine case, which are mainly contributed by the C (N2) and N2 atoms in the three of intact triazine units, respectively, while the gap states originate from the triazine unit with C-vacancy. Overall, the partitioned electron distribution corresponded to the CBM and VBM in the three systems, especially SN2-doped g-C3N4, should be beneficial to suppressing the recombination of photogenerated electron-hole pairs.
来源文献：https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.12.085

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5. 最后结果交付内容包括：计算方法（不是计算结果的分析）的说明，最终的结构文件，某些涉及作图所需的数据。除以上内容之外，有其他要求，请提前说明。交付结果后，另外提出的要求，我们会尽量协助解决，但不保证一定能解决。
6. 我们保证计算结果的真实性和有效性，但是无法保证计算结果一定符合您的预期，请务必确认该风险。
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第一性原理计算的基本思想是将多个原子构成的体系看成是由多个电子和原子核组成的系统，并根据量子力学的基本原理对问题进行最大限度的“非经验性”处理。它只需要5个基本常数（m0，e，h，c，kB）就可以计算出体系的能量和电子结构等物理性质。它可以确定已知材料的结构和基础性质，并实现原子级别的精准控制，是现阶段解决实验理论问题和预测新材料结构性能的有力工具。并且，第一性原理计算不需要开展真实的实验，极大地节省了实验成本，现已被广泛应用于化学、物理、生命科学和材料学等领域。
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可以计算的体系包括但不限于：晶体、非晶、二维材料、表面、界面、固体等
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可以计算的内容包括但不限于：
材料的几何结构参数（如键长、键角、二面角、晶格常数、原子位置等）
材料的电子结构信息（如电荷密度、电荷差分密度、态密度、能带、费米能级、功函数、ELF等）
材料的光学性质（如介电常数等）
材料的力学性质（如弹性模量等）
材料的磁学性质（如磁导率等）
材料的晶格动力学性质（如声子谱等）
材料的表面性质（如吸附能，催化计算等）
复合材料的性质（异质结等内容）等等

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态密度DOS

PDOS体现的是特定的片段对DOS贡献的曲线。通常可以将DOS分解为每种原子所贡献的PDOS，以研究不同原子以及原子轨道对电子结构的贡献。

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5. 最后结果交付内容包括：计算方法（不是计算结果的分析）的说明，最终的结构文件，某些涉及作图所需的数据。除以上内容之外，有其他要求，请提前说明。交付结果后，另外提出的要求，我们会尽量协助解决，但不保证一定能解决。
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8. 交付结果后，请在一周内反馈结果问题。长时间不查看结果，结果问题反馈时间距离交付结果时间太久的，我们视情况进行问题的解答（因为源数据不一定还有保留，所以一定要及时反馈哦）。
9. 再次提醒：有不懂的可以多交流，但是交付结果后，请不要以“我不懂计算”为理由，提出不对应原方案的另外的要求，我们最终交付结果均以方案为核对参考。

第一性原理计算的基本思想是将多个原子构成的体系看成是由多个电子和原子核组成的系统，并根据量子力学的基本原理对问题进行最大限度的“非经验性”处理。它只需要5个基本常数（m0，e，h，c，kB）就可以计算出体系的能量和电子结构等物理性质。它可以确定已知材料的结构和基础性质，并实现原子级别的精准控制，是现阶段解决实验理论问题和预测新材料结构性能的有力工具。并且，第一性原理计算不需要开展真实的实验，极大地节省了实验成本，现已被广泛应用于化学、物理、生命科学和材料学等领域。
适合的研究方向包括但不限于：催化、电池、半导体、金属材料、非金属材料、合金、纳米材料等
可以计算的体系包括但不限于：晶体、非晶、二维材料、表面、界面、固体等
常用软件：VASP，MS，CP2K，QE等
可以计算的内容包括但不限于：
材料的几何结构参数（如键长、键角、二面角、晶格常数、原子位置等）
材料的电子结构信息（如电荷密度、电荷差分密度、态密度、能带、费米能级、功函数、ELF等）
材料的光学性质（如介电常数等）
材料的力学性质（如弹性模量等）
材料的磁学性质（如磁导率等）
材料的晶格动力学性质（如声子谱等）
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表面能

1.请务必确认理解所选择的计算内容，凡是在结果交付后，另外补加的要求或者提出和原要求不符的其他计算内容，需另外评估是否收费。
2. 请务必提供自己确准的体系结构文件，结果交付后，不接受因为结构提供错误提出的更改模型的售后要求。
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第一性原理计算的基本思想是将多个原子构成的体系看成是由多个电子和原子核组成的系统，并根据量子力学的基本原理对问题进行最大限度的“非经验性”处理。它只需要5个基本常数（m0，e，h，c，kB）就可以计算出体系的能量和电子结构等物理性质。它可以确定已知材料的结构和基础性质，并实现原子级别的精准控制，是现阶段解决实验理论问题和预测新材料结构性能的有力工具。并且，第一性原理计算不需要开展真实的实验，极大地节省了实验成本，现已被广泛应用于化学、物理、生命科学和材料学等领域。
适合的研究方向包括但不限于：催化、电池、半导体、金属材料、非金属材料、合金、纳米材料等
可以计算的体系包括但不限于：晶体、非晶、二维材料、表面、界面、固体等
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材料的几何结构参数（如键长、键角、二面角、晶格常数、原子位置等）
材料的电子结构信息（如电荷密度、电荷差分密度、态密度、能带、费米能级、功函数、ELF等）
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材料的表面性质（如吸附能，催化计算等）
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投影态密度PDOS

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