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设备预约
  • 主要功能:主要应用于金属薄膜、III-V族半导体、Si、SiO2、SiNx等薄膜的干法刻蚀,具有刻蚀速率高、各向异性好等优点。
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  • 主要技术指标:RF源-600W,ICP源-3kW,13.56MHz射频发生器;100mTorr真空计;配备SF6、C4F8、CHF3、O2、Ar、He、Cl2、BCl3、HBr、H2、CH4等共11路气体;Ni刻蚀工艺:普通刻蚀速率≥30 nm/min;刻蚀速率范围5~50 nm/min;均匀性<±5%(四英寸); 选择比>0.3:1(PR)>0.5:1 (SiO2);刻蚀角度>85°;批间不均匀性<±3%。TiO2刻蚀工艺 普通刻蚀速率≥20 nm/min;刻蚀速率范围5~50 nm/min;均匀性: <±5%(四英寸);选择比>0.5:1 (PR),>10:1 (Cr、Al、Ni);刻蚀角度>85°;批间不均匀性<±3%。InP刻蚀工艺:刻蚀深度<10 um;普通刻蚀速率≥750 nm/min;刻蚀速率范围5~1500 nm/min;均匀性<± 5%(四英寸); 选择比>10:1 (SiOx/SiNx);刻蚀角度>90±3°;批间不均匀性<±3%。GaAs刻蚀工艺:刻蚀深度<20 um;普通刻蚀速率≥350 nm/min;刻蚀速率范围20~1500 nm/min;均匀性<±5%(四英寸);选择比>10:1(SiOx),>3:1(PR);刻蚀角度>90±3°;批间不均匀性<±3%。
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  • 主要学科领域:自然科学相关工程与技术
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  • 服务内容:该设备广泛应用于半导体器件和集成电路的小尺寸器件制造工艺,还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。
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  • 用户须知:
已测试 11 次 平均 7 个工作日完成 100% 对测试结果满意
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