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设备预约
  • 主要功能:该设备通过在反应腔室中通入可以与被刻蚀材料起化学反应的气体,射频电源将反应气体电离产生等离子体,基底被浸渍于高反应活性的等离子体中,基底表面未被掩蔽的部分与气体离子进行反应,反应产物呈气态排出腔室,从而实现材料刻蚀。   该设备主要用于硅及二氧化硅快速刻蚀及其他硅基材料的刻蚀,在衬底上形成高深宽比(如Aspect Ratio100以上)的图案结构微纳米结构。 应用领域包括:MEMS器件的制造(加速传感器等)、喷墨印表机喷头、三维封裝中的硅穿孔、医疗器件的制造。
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  • 主要技术指标:1) 深硅刻蚀 -百微米级Trench(光刻胶掩模): a) 刻蚀速率不低于 50 um/min; b) 硅:光刻胶选择性(Selectivity),不低于 100 c) 刻蚀轮廓(Profile),轮廓角度> 85 度 d) 刻蚀均匀性(Uniformity,100mm衬底,10mm边缘去除),片内5点< 5% ; 2) 深硅刻蚀-微米级Trench(光刻胶掩模): a) 刻蚀速率不低于60 um/min; b) SiO2:光刻胶选择性(Selectivity), 不低于 10 c) 刻蚀轮廓(Profile),轮廓角度> 85 度 d) 刻蚀均匀性(Uniformity,100mm衬底,10mm边缘去除),片内5点< 5% ; 3) 深硅刻蚀-百微米级(二氧化硅掩模): a) 刻蚀速率不低于 10 um/min; b) Si3N4:光刻胶选择性(Selectivity), 不低于 400 c) 刻蚀轮廓(Profile),轮廓角度> 85 度 d) 刻蚀均匀性(Uniformity,100mm衬底,10mm边缘去除),片内5点< 5% ;
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  • 主要学科领域:工程与技术科学基础学科
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  • 服务内容:主要用于硅的快速刻蚀及其他硅基材料的刻蚀,形成微纳米结构。 应用领域包括:MEMS器件的制造(加速传感器等)、喷墨印表机喷头、三维封裝中的硅穿孔、医疗器件的制造。
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  • 用户须知:
已测试 10 次 平均 7 个工作日完成 100% 对测试结果满意
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