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试验原料预处理系统
主要功能：可进行包括各种高含水分试验原材料的干燥、破碎、磨粉及装置自动控制，可实现连续运行。
主要技术指标：1、试验原材料处理能力：1吨/小时， 2、可处理原料粒度：0-50mm，含水量0-25% 3、干燥机运行温度：180℃， 4、干燥机出口原料含水量：一次通过可脱水200kg/h，原料含水量最低可脱至5%， 5、破碎机出口原料粒度：≤8mm， 6、磨粉机出口原料粒度：粉体200目筛余≤10%。
主要学科领域：能源科学技术
服务内容：
用户须知：提前一个月申请
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冷喷涂装置
主要功能：开展汽车零部件、模具、航空航天等零件以及靶材的耐磨涂层、防腐涂层、热障涂层的涂层加工。
主要技术指标：冷喷涂设备是通过载气将粉体加速至高速状态并撞击基体形成涂层，涂层厚度不受限制、几乎不氧化、与基体结合强度好、沉积效率高，广泛用于航空零部件的修复和增材制造。该设备技术参数高，设备使用温度达1000℃，喷涂材料范围广，可制备致密的高温合金、钛合金等涂层，是高效率、高质量涂层制备的高端设备。
主要学科领域：材料科学
服务内容：开展汽车零部件、模具、航空航天等零件以及靶材的耐磨涂层、防腐涂层、热障涂层的涂层加工。
用户须知：
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三轴同振电动振动试验系统
主要功能：振动试验
主要技术指标：三轴同振，单轴2吨推力；加速度<50g; 频率5-2000HZ；
主要学科领域：机械工程
服务内容：振动试验
用户须知：经操作培训后，方可操作
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14
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铝熔体整体净化熔铸炉
主要功能：承接铝熔体整体净化熔铸炉MJL-2500/1500设备相关业务
主要技术指标：铝熔体整体净化熔铸炉MJL-2500/1500具体指标见型号或面议
主要学科领域：材料科学
服务内容：承接铝熔体整体净化熔铸炉MJL-2500/1500设备相关业务
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错列式炉排
主要功能：本设备可提供有机固废焚烧热解相关方面的技术服务
主要技术指标：有机固废处理能力12吨/天，热负荷0.5MW ，两段式炉排，设计燃料热值2700Kcal/Kg，设计烟气量3000Nm3/h，炉排运动周期及给料速度可控
主要学科领域：能源科学技术
服务内容：
用户须知：提前一个月申请
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慢走丝数控精密线切割机
主要功能：主要用于切割精密模具
主要技术指标：X, Y, Z行程350 x 250 x 250mm
主要学科领域：机械工程
服务内容：主要用于技术开发与服务
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狭小空间特种喷涂实验系统
主要功能：狭小空间功能涂层喷涂。
主要技术指标：焰流速度：800-1100m/s； 最小喷涂内径：200mm； 机械手持重：20kg。
主要学科领域：机械工程,材料科学,水利工程
服务内容：用于涂层制备试验研究。
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刻蚀设备ICP-RIE（有机）
感应耦合等离子体反应离子刻蚀设备ICP-RIE（有机）
主要功能：该设备通过在反应腔室外的电磁线圈上加射频电源，急剧变化的感应电场和感应磁场相互耦合，使得初始电子获得能量轰击中性粒子，产生稳定的等离子体。等离子体在射频偏压电场的加速作用下移动到样品表面，对样品表面进行物理轰击同时化学反应产生挥发性气体，从而达到刻蚀的目的。 该设备主要用于硅、聚合物和光刻胶、硅基介质材料如：氧化硅、氮化硅的刻蚀，控制刻蚀的形貌（同向性或异向性），并保持整个样品的均匀性，在衬底上形成的图案结构微纳米结构
主要技术指标：1) 硅衬底刻蚀（光刻胶掩模）： a) 刻蚀速率不低于 1 um/min; b) 硅:光刻胶选择性（Selectivity），不低于 2:1 c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 89 度 d) 刻蚀均匀性（Uniformity，150mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 3% ,片间(3片)< 5% ; 2) SiO2刻蚀（光刻胶掩模）： a) 刻蚀速率不低于 0.2 um/min; b) SiO2：光刻胶选择性（Selectivity）， 不低于 2:1 c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 89 度 d) 刻蚀均匀性（Uniformity，150mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 3% ,片间(3片)< 5% ; 3) Si3N4刻蚀（光刻胶掩模）： a) 刻蚀速率不低于 0.2 um/min; b) Si3N4：光刻胶选择性（Selectivity）， 不低于 2:1 c) 刻蚀轮廓（Profile），轮廓角度> 89 度 d) 刻蚀均匀性（Uniformity，150mm衬底，10mm边缘去除），片内5点< 3% ,片间(3片)< 5% ;
主要学科领域：工程与技术科学基础学科
服务内容：主要用于石英，氧化硅、硅等硅基材料，GaN、GaAs、InP和其他化合物半导体，金属膜、石墨烯等二维材料，以及PMMA等有机材料的刻蚀，形成微纳米结构。
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