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设备预约
  • 感应耦合等离子体反应离子刻蚀设备ICP-RIE(有机)
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  • 主要功能:该设备通过在反应腔室外的电磁线圈上加射频电源,急剧变化的感应电场和感应磁场相互耦合,使得初始电子获得能量轰击中性粒子,产生稳定的等离子体。等离子体在射频偏压电场的加速作用下移动到样品表面,对样品表面进行物理轰击同时化学反应产生挥发性气体,从而达到刻蚀的目的。 该设备主要用于硅、聚合物和光刻胶、硅基介质材料如:氧化硅、氮化硅的刻蚀,控制刻蚀的形貌(同向性或异向性),并保持整个样品的均匀性,在衬底上形成的图案结构微纳米结构
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  • 主要技术指标:1) 硅衬底刻蚀(光刻胶掩模): a) 刻蚀速率不低于 1 um/min; b) 硅:光刻胶选择性(Selectivity),不低于 2:1 c) 刻蚀轮廓(Profile),轮廓角度> 89 度 d) 刻蚀均匀性(Uniformity,150mm衬底,10mm边缘去除),片内5点< 3% ,片间(3片)< 5% ; 2) SiO2刻蚀(光刻胶掩模): a) 刻蚀速率不低于 0.2 um/min; b) SiO2:光刻胶选择性(Selectivity), 不低于 2:1 c) 刻蚀轮廓(Profile),轮廓角度> 89 度 d) 刻蚀均匀性(Uniformity,150mm衬底,10mm边缘去除),片内5点< 3% ,片间(3片)< 5% ; 3) Si3N4刻蚀(光刻胶掩模): a) 刻蚀速率不低于 0.2 um/min; b) Si3N4:光刻胶选择性(Selectivity), 不低于 2:1 c) 刻蚀轮廓(Profile),轮廓角度> 89 度 d) 刻蚀均匀性(Uniformity,150mm衬底,10mm边缘去除),片内5点< 3% ,片间(3片)< 5% ;
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  • 主要学科领域:工程与技术科学基础学科
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  • 服务内容:主要用于石英,氧化硅、硅等硅基材料,GaN、GaAs、InP和其他化合物半导体,金属膜、石墨烯等二维材料,以及PMMA等有机材料的刻蚀,形成微纳米结构。
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  • 用户须知:
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