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超高分辨率单分子动力分析系统
主要功能:单分子测量。3.1.1双光镊,波长1064nm,光阱激光功率≥10W。 *3.1.2高灵敏度力学检测器,独立光阱采样频率≥30 kHz 。 *3.1.3力学分辨率:<0.1pN(@100Hz@1μm小球@0.3 pN/nm 光阱刚度条件下)。 *3.1.4最大逃逸力:>1000 pN (4.5 μm 微球条件下) 。 3.1.5光阱刚度范围:0.05pN/nm-1.5pN/nm(1μm 微球条件下) *3.1.6力学稳定性:2分钟内的漂移<0.3 pN 3.1.7力学探测器类型:位置敏感探测器PSD *3.1.8光阱距离分辨率:<0.3nm @100Hz 3.1.9最小步移:<3nm 3.1.10实时微球追踪精度<3 nm (@100 Hz)。 3.1.11微球运动范围>35um(x)
主要技术指标:3.1.1双光镊,波长1064nm,光阱激光功率≥10W。 *3.1.2高灵敏度力学检测器,独立光阱采样频率≥30 kHz 。 *3.1.3力学分辨率:<0.1pN(@100Hz@1μm小球@0.3 pN/nm 光阱刚度条件下)。 *3.1.4最大逃逸力:>1000 pN (4.5 μm 微球条件下) 。 3.1.5光阱刚度范围:0.05pN/nm-1.5pN/nm(1μm 微球条件下) *3.1.6力学稳定性:2分钟内的漂移<0.3 pN 3.1.7力学探测器类型:位置敏感探测器PSD *3.1.8光阱距离分辨率:<0.3nm @100Hz 3.1.9最小步移:<3nm 3.1.10实时微球追踪精度<3 nm (@100 Hz)。 3.1.11微球运动范围>35um(x)
主要学科领域:物理学
服务内容:单分子测量。3.1.1双光镊,波长1064nm,光阱激光功率≥10W。 *3.1.2高灵敏度力学检测器,独立光阱采样频率≥30 kHz 。 *3.1.3力学分辨率:<0.1pN(@100Hz@1μm小球@0.3 pN/nm 光阱刚度条件下)。
用户须知:提前一周
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21
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纳米划痕仪
主要功能:测试薄膜和基底的临界附着力,划痕深度、划痕宽度、凸起高度以及材料的粘弹性恢复等力学性能。
主要技术指标:划痕正向力载荷 10uN-1N 最大摩擦力 1N(或200mN) 摩擦力分辨率 6uN(或300nN) 最大划痕深度 200 um 最大划痕长度 120mm 划痕速度 0.4-600mm/min,连续可调
主要学科领域:材料科学
服务内容:用于薄膜、涂层力学性能测试
用户须知:
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11
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100%
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结构试验设备
主要功能:结构试验设备,安装加载构件
主要技术指标:5.5mx9mx6m
主要学科领域:土木建筑工程
服务内容:结构试验设备,安装加载构件
用户须知:
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5
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7
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100%
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进口代理剪切试验机
主要功能:适用于金属材料的拉伸试验、剪切试验
主要技术指标:试验力测量范围/Testing force range: ±0.5%(0.5-100%) 位移分辨率/ Displacement resolution: 0.06um 温度范围/ Temperature range: -196℃~350℃
主要学科领域:材料科学
服务内容:适用于金属材料的拉伸试验、剪切试验
用户须知:
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3
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100%
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ICP干法刻蚀机
主要功能:主要功能:等离子刻蚀是利用高频辉光放电效应,使反应气体激活成活性粒子,如原子或游离基,这些活性粒子扩散到需刻蚀部位,与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性反应物而被去除。其优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌。
主要技术指标:1. 反应腔室本底真空: < 1 x 10-6 mbar (1x 10-4 Pa),抽真空2小时后 2. 反应腔室漏率: < 5 x 10-4 mbar?l/s 3. 预真空室本底真空: < 1 x 10-1 mbar (10 Pa) 4. 预真空室漏率: < 5 x 10-4 mbar?l/s 5. 样片操作: 不同设置:样片进/出 6. 气路系统: 测试所有质量流量计(设定值10%, 50%, 90%) 7. 压力控制: 压力计/控制阀,不同压力 8. 下电极温度控制: 不同设置,-30oC~ +200oC(带循环冷却器Chiller)或RT~ +250oC(外接冷却水) 9. 等离子体测试: 不同设置(Ar或N2) 10. 反射功率: ≤ 1%,ICP功率 ≥ 500 W≤ 5 W,ICP功率 < 500 W 11. 其他: 安全互锁、运行工艺处方(Recipe)等 12. SiC刻蚀工艺 Cr掩膜 刻蚀深度:≥ 2 μm 刻蚀速率:≥ 400 nm/min 选择比:≥ 40:1 (SiC: Cr) 片上不均匀性:在50 mm范围内 ≤ ±4%(6mm边除外) 批间不均匀性:≤ ±5% 陡直度:85° ~ 90° 13. GaAs/AlGaAs刻蚀工艺 光刻胶掩膜 刻蚀深度:≥ 2 μm 刻蚀速率:≥ 400 nm/min 选择比:≥ 5:1 (GaAs: 光刻胶) 片上不均匀性:在100 mm范围内 ≤ ±4%(6mm边除外) 批间不均匀性:≤ ±5% 陡直度:90° ±2° 14. InP刻蚀工艺 SiO2掩膜 刻蚀深度:≥ 20 μm 刻蚀速率:≥ 500 nm/min 选择比:≥ 15:1 (InP: SiO2) 片上不均匀性:在100 mm范围内 ≤ ±4%(6mm边除外) 批间不均匀性:≤ ±5% 陡直度:90° ±3°
主要学科领域:材料科学,物理学,电子与通信技术,动力与电气工程
服务内容:共享学科:材料学科、机械学科、电力电子学科和半导体学科。
用户须知:
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3
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动静态万能机高低温烘箱
动静态万能试验机+高低温烘箱
主要功能:在高温和低温状态下进行多种低周和高周疲劳试验、裂纹扩展和断裂韧度试验,以及其它动态试验
主要技术指标:最大工作压力207bar
主要学科领域:材料科学
服务内容:在高温和低温状态下进行多种低周和高周疲劳试验、裂纹扩展和断裂韧度试验,以及其它动态试验
用户须知:
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10
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7
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100%
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喷墨印花机
主要功能:可在织物上进行喷墨印花
主要技术指标:自动喷嘴检测技术,自动喷嘴清洗技术
主要学科领域:纺织科学技术
服务内容:可在织物上进行喷墨印花
用户须知:提前一月预约
已测试
20
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7
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100%
对测试结果满意
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太阳能塔式定日镜场试验平台
高精度太阳能塔式定日镜场及智能控制试验平台
主要功能:1. 主要包括定日镜设备本体、境场控制系统、校正系统 1.1试验平台工作温度-20~50℃,工作湿度0%~85%; 1.2 定日镜平均跟踪精度≤4mrad; 2. 定日镜设备本体 2.1 主要包括本体反射镜、定日镜支架及基础、传动部件; 2.2 反射镜面积≥1400m2,反射率≥92%; 2.3 定日镜最大运行风速14m/s,破坏风速30m/s; 2.4 设计寿命25年; 2.5 具有初始化、自检、预备、追日、校正、清洗、关场、安全等运行模式; 3. 境场控制系统 3.1 每台定日镜配置一台控制器,负责该定日镜的运动控制和运行状态上传; 3.2 控制器达到防水、防雾和防尘等级IP55; 3.3 控制系统具有发送操作命令、批量控制定日镜、报警等功能; 3.4 不同聚光焦点位置的切换以及定日镜投入数目的选择; 3.5 控制系统留有接口可以扩展定日镜面积(数量)至3000m2以上; 4. 提供光斑误差校正系统,全境场校正时间<60天;
主要技术指标:1. 主要包括定日镜设备本体、境场控制系统、校正系统 1.1试验平台工作温度-20~50℃,工作湿度0%~85%; 1.2 定日镜平均跟踪精度≤4mrad; 2. 定日镜设备本体 2.1 主要包括本体反射镜、定日镜支架及基础、传动部件; 2.2 反射镜面积≥1400m2,反射率≥92%; 2.3 定日镜最大运行风速14m/s,破坏风速30m/s; 2.4 设计寿命25年; 2.5 具有初始化、自检、预备、追日、校正、清洗、关场、安全等运行模式; 3. 境场控制系统 3.1 每台定日镜配置一台控制器,负责该定日镜的运动控制和运行状态上传; 3.2 控制器达到防水、防雾和防尘等级IP55; 3.3 控制系统具有发送操作命令、批量控制定日镜、报警等功能; 3.4 不同聚光焦点位置的切换以及定日镜投入数目的选择; 3.5 控制系统留有接口可以扩展定日镜面积(数量)至3000m2以上; 4. 提供光斑误差校正系统,全境场校正时间<60天;
主要学科领域:能源科学技术
服务内容:
用户须知:提前一个月申请
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