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  • 主要功能:1)可沉积氧化铝,氧化钛,氧化硅,氮化钛等薄膜,对非平面结构实现均匀的共型薄膜覆盖; 2)2路直抽管路,反应源瓶不可加热,管路可加热到最高200度,用于高蒸汽压反应源,如H2O和铝源TMA; 3)1路直抽管路,反应源瓶和管路均可加热到最高200度,用于室温下低蒸汽压反应源,如硅源SAM.24; 4)1路氮气鼓泡管路,反应源瓶和管路均可加热到最高200度,用于加热也不能获得高蒸汽压的反应源,如钛源TTIP; 5)300W的CCP等离子体源可将氨气或者氧气解离生成活性基团,注入反应腔参与ALD的反应,再100度下可获得致密薄膜; 6)原位椭偏仪可对整个ALD的过程进行监控,可使沉积停止于目标厚度;
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  • 主要技术指标:通过加热方式或者等离子体方式,进行原子层沉积氧化物和氮化物薄膜; 1)配置有4路液体源注入,其中 2路直抽管路,管路可加热到最高200度,反应源瓶不可加热; 1路直抽管路,反应源瓶和管路均可加热到最高200度; 1路氮气鼓泡管路,反应源瓶和管路均可加热到最高200度; 2)配置有300W的CCP等离子体源和两路反应气体,分别是氨气和氧气,通过等离子体解离后注入反应腔; 3)衬底可加热到最高300度;
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  • 主要学科领域:工程与技术科学基础学科
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  • 服务内容:主要用于对复杂3D形貌的结构进行保型性薄膜覆盖,如对MEMS或者先进的微电子器件中很高的深宽比的沟槽内壁的填充和覆盖;对纳米线或者纳米管等的外壁进行覆盖等;也可用于形成高质量的高介电常数薄膜(氧化物)或者金属接触层薄膜(氮化物);还可用于形成高质量的叠层薄膜结构,实现光学的性能。
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