首页 项目分类 名师专家 论文服务 知识产权 未来商城 学习论坛 学习视频 健康养生 科研动态 关于我们
您的位置: 首页 > 设备预约
EQUIPMENT BOOKING
设备预约
  • 主要功能:主要功能:等离子刻蚀是利用高频辉光放电效应,使反应气体激活成活性粒子,如原子或游离基,这些活性粒子扩散到需刻蚀部位,与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性反应物而被去除。其优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌。
  •  
  • 主要技术指标:1. 反应腔室本底真空: < 1 x 10-6 mbar (1x 10-4 Pa),抽真空2小时后 2. 反应腔室漏率: < 5 x 10-4 mbar?l/s 3. 预真空室本底真空: < 1 x 10-1 mbar (10 Pa) 4. 预真空室漏率: < 5 x 10-4 mbar?l/s 5. 样片操作: 不同设置:样片进/出 6. 气路系统: 测试所有质量流量计(设定值10%, 50%, 90%) 7. 压力控制: 压力计/控制阀,不同压力 8. 下电极温度控制: 不同设置,-30oC~ +200oC(带循环冷却器Chiller)或RT~ +250oC(外接冷却水) 9. 等离子体测试: 不同设置(Ar或N2) 10. 反射功率: ≤ 1%,ICP功率 ≥ 500 W≤ 5 W,ICP功率 < 500 W 11. 其他: 安全互锁、运行工艺处方(Recipe)等 12. SiC刻蚀工艺 Cr掩膜 刻蚀深度:≥ 2 μm 刻蚀速率:≥ 400 nm/min 选择比:≥ 40:1 (SiC: Cr) 片上不均匀性:在50 mm范围内 ≤ ±4%(6mm边除外) 批间不均匀性:≤ ±5% 陡直度:85° ~ 90° 13. GaAs/AlGaAs刻蚀工艺 光刻胶掩膜 刻蚀深度:≥ 2 μm 刻蚀速率:≥ 400 nm/min 选择比:≥ 5:1 (GaAs: 光刻胶) 片上不均匀性:在100 mm范围内 ≤ ±4%(6mm边除外) 批间不均匀性:≤ ±5% 陡直度:90° ±2° 14. InP刻蚀工艺 SiO2掩膜 刻蚀深度:≥ 20 μm 刻蚀速率:≥ 500 nm/min 选择比:≥ 15:1 (InP: SiO2) 片上不均匀性:在100 mm范围内 ≤ ±4%(6mm边除外) 批间不均匀性:≤ ±5% 陡直度:90° ±3°
  •  
  • 主要学科领域:材料科学,物理学,电子与通信技术,动力与电气工程
  •  
  • 服务内容:共享学科:材料学科、机械学科、电力电子学科和半导体学科。
  •  
  • 用户须知:
已测试 3 次 平均 7 个工作日完成 100% 对测试结果满意
  • 高精度太阳能塔式定日镜场及智能控制试验平台
  •  
  • 主要功能:1. 主要包括定日镜设备本体、境场控制系统、校正系统 1.1试验平台工作温度-20~50℃,工作湿度0%~85%; 1.2 定日镜平均跟踪精度≤4mrad; 2. 定日镜设备本体 2.1 主要包括本体反射镜、定日镜支架及基础、传动部件; 2.2 反射镜面积≥1400m2,反射率≥92%; 2.3 定日镜最大运行风速14m/s,破坏风速30m/s; 2.4 设计寿命25年; 2.5 具有初始化、自检、预备、追日、校正、清洗、关场、安全等运行模式; 3. 境场控制系统 3.1 每台定日镜配置一台控制器,负责该定日镜的运动控制和运行状态上传; 3.2 控制器达到防水、防雾和防尘等级IP55; 3.3 控制系统具有发送操作命令、批量控制定日镜、报警等功能; 3.4 不同聚光焦点位置的切换以及定日镜投入数目的选择; 3.5 控制系统留有接口可以扩展定日镜面积(数量)至3000m2以上; 4. 提供光斑误差校正系统,全境场校正时间<60天;
  •  
  • 主要技术指标:1. 主要包括定日镜设备本体、境场控制系统、校正系统 1.1试验平台工作温度-20~50℃,工作湿度0%~85%; 1.2 定日镜平均跟踪精度≤4mrad; 2. 定日镜设备本体 2.1 主要包括本体反射镜、定日镜支架及基础、传动部件; 2.2 反射镜面积≥1400m2,反射率≥92%; 2.3 定日镜最大运行风速14m/s,破坏风速30m/s; 2.4 设计寿命25年; 2.5 具有初始化、自检、预备、追日、校正、清洗、关场、安全等运行模式; 3. 境场控制系统 3.1 每台定日镜配置一台控制器,负责该定日镜的运动控制和运行状态上传; 3.2 控制器达到防水、防雾和防尘等级IP55; 3.3 控制系统具有发送操作命令、批量控制定日镜、报警等功能; 3.4 不同聚光焦点位置的切换以及定日镜投入数目的选择; 3.5 控制系统留有接口可以扩展定日镜面积(数量)至3000m2以上; 4. 提供光斑误差校正系统,全境场校正时间<60天;
  •  
  • 主要学科领域:能源科学技术
  •  
  • 服务内容:
  •  
  • 用户须知:提前一个月申请
已测试 57 次 平均 7 个工作日完成 100% 对测试结果满意
  •  主要功能:在晶片测试时,能有效地屏蔽光及电磁波干扰,且可在-55~300度的环境下进行直流 IV/CV参数(漏电流为fA级)提取;或可以进行S参数(频率可高达110GHZ)的测试 。
  •  
  • 主要技术指标:1、载片台可实现四维运动, 直径≥310 mm,平坦度<±12μm;最大耐压值Forceto-GND ≥ 600VDC,Force-to-Guard ≥600V DC;2、载物台最小支持4x4 mm样品 吸附,可单独控制75mm、150mm、200mm、300 mm吸附区域的开关。3、载物台XY移 动范围≥ 310 mm x 310 mm,移动分辨率≤0.5 μm,移动精度≤± 2.0μm,最大 移动速度≥50 mm/sec。4、Z方向移动范围≥30 mm,移动分辨率≤0.2 μm,移动 精度≤± 2μm,重复精度≤±1μm。5、载物台Theta旋转范围≥±5.0°,旋转分 辨率≤0.0001°,旋转精度< 2.0 μm,重复精度<1.0μm。6、支持-60℃至 300℃高低温环境的测试;7、探针台台面与载物台高度≥48mm,
  •  
  • 主要学科领域:自然科学相关工程与技术
  •  
  • 服务内容:电子信息工程、飞行器设计与工程、光电信息科学与工程、信息工程、 电子科学与技术、信息与通信工程、电子信息技术及仪器、船舶与海洋工程、机械 电子工程等 主要应用在半导体/微电子,电子,机电,物理,化学,材料,光电,纳米, 微机电/MEMs,生物芯片,航空航天等科学研究领域,以及IC设计/制造/测试/封装 、LED、LCD/OLED、LD/PD、PCB、FPC等生产制造领域。
  •  
  • 用户须知:
已测试 212 次 平均 7 个工作日完成 100% 对测试结果满意
15
共24页
到第
确认
APPOINTMENT
设备预约
提交申请后,我们会在1个工作日内联系您
*单位名称:
*联系人:
*联系电话:
*预约内容:
*备注:
立即预约