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EQUIPMENT BOOKING
设备预约
  • 主要功能:碳化硅衬底片和外延片的缺陷检测
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  • 主要技术指标:1.设备支持1寸-8寸晶圆测试,并保证完成全片整面检测。 2.设备支持非整晶圆的样片(如切片等)检测,进行手动放置自动检测。 3.设备可以检测的缺陷必须至少包括:划痕(scratch),凹坑(pit),突起(bump),微管(micropipe),胡萝卜(carrot),三角形(triangle),Downfall,堆垛层错缺陷(Stacking Fault),基平面位错(BPD)等各结晶及加工缺陷。 4.设备对晶圆各处具有相同的缺陷检测灵敏度的扫描方式,并且在晶圆的周边及整面同时检测出BPD和SF缺陷。 5.设备具备可提高颗粒物(particle)、划痕(scratch)检测精度的优化设计。 6.设备需包含10倍目镜镜头,对缺陷的最大放大倍数不低于130倍,单张图像对应的视场范围不小于1.5mm×1.5mm,具有图像拼接功能可以形成整晶圆的图像。 7.设备对晶圆的缺陷可以进行图像显示和图像保存,并提供清晰的图像,图像的像素尺寸要求:表面缺陷的像素尺寸≤1.75μm/Pixel,PL检测的缺陷像素尺寸≤3.5 μm/Pixel。 8.设备对缺陷的检测精度:可成功检出并分类的缺陷最小尺寸不大于4μm。 9.设备可以检测的晶圆厚度范围300μm-800μm。 10.PL检测系统同时满足SiC衬底片、薄外延片(外延厚度在10μm以内)以及厚外延片(外延厚度在10μm-70μm范围)的检测需求。
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  • 主要学科领域:物理学
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  •  服务内容:碳化硅衬底片和外延片的缺陷检测
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  •  用户须知:
已测试 32 次 平均 7 个工作日完成 100% 对测试结果满意
  • 主要功能:切割和纳米加工的作用,并有原位成像的辅助功能,加以辅助气体还能实现焊接。
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  • 主要技术指标:一、 离子束 1. 分辨率:≤3.0nm@30kV; 2. 离子镜筒:Ion-sculpture镜筒; 3. 放大倍率范围不小于:300x~500kx; 4. 束流强度范围不小于:1pA-65nA; 5. 加速电压范围不小于:0.5kV-30kV; 二、 电子束 1. 分辨率:≤0.9nm@15KV;≤1.8nm@1kV; 2. 最大束流不低于20nA; 3. 放大倍率范围不小于:20x-2000kx; 4. 加速电压范围不小于:0.5kV-30kV; 三、 样品室及马达台系统 1. 样品室内部尺寸不小于330mm(宽)?330mm(深)?270mm(高); 2. 六轴高精度超优中心全自动马达样品台:样品台XY方向移动范围不低于100mm,Z方向移动范围不低于10mm,倾斜角度T范围不小于-4°到60°,旋转角度R=360°; 3. 样品预交换室:可放置样品最大尺寸不小于80mm; 四、 电子束曝光 1. 设备连接后,保证可实现将电镜切换成外部扫描模式; 2. 通过图形发生器设定写场,同时扫描图像后保证图像水平和垂直方向正确; 3. 通过图形发生器实现控制束闸的开关; 4. 通过图形发生器实现扫描电镜和其工作台的远程控制; 5. 使用标样对写场进行校准;
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  • 主要学科领域:自然科学相关工程与技术
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  •  服务内容:原位失效分析,定点投射样品制备,三维重构等方面
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  •  用户须知:无
已测试 36 次 平均 7 个工作日完成 100% 对测试结果满意
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