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磁控溅射镀膜
测试项目:
真空蒸镀:真空蒸镀中的金属镀层通常为铝膜,但其它金属也可通过蒸发沉积。
优点是:技术层涂布均匀,细密。
缺点是:熔点、沸点太高的金属或合金不适合于蒸镀。
磁控溅射:在电场环境下,利用高速射频电子将金属靶材轰击到基膜上面,形成沉淀。
优点是:可以利用隔热更好的高熔点金属和合金等。
缺点是:金属涂布过厚,会影响清晰度和产品收缩效果。
电子束蒸镀:利用电场环境,用阴极射线将金属靶材加热到汽化状态,然后蒸发沉淀在基膜上面,形成涂布层。
优点是:可以利用高隔热的金属及合金。金属涂布细密,均匀。
缺点是:涂布速度较慢,成本较高。
结果展示:
制备样品
已测试
14
次 平均
7
个工作日完成
100%
对测试结果满意
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镀膜
已测试
33
次 平均
7
个工作日完成
100%
对测试结果满意
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冷溅射镀膜仪
项目简介
溅射镀膜仪是一种用于物理学、电子与通信技术领域的分析仪器。在真空状态下,溅射镀膜仪产生的惰性气体离子束经过电场加速和磁场约束后轰击作用靶材表面,使得靶材原子脱离靶材溢出,到达被镀基片表面进行沉积,在基片表面生成不同厚度、不同材料的薄膜层。
在30分钟之内,系统真空度小于3.0e-6Torr;可以一次植被10片8英寸*8英寸方片;300纳米Ti膜,成膜均匀性优于5%。
结果展示
镀膜后的成品。
样品要求
1、不接受磁性样品;
2、目前只能镀Pt和C。
已测试
23
次 平均
7
个工作日完成
100%
对测试结果满意
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高真空镀膜仪
测试项目:
高真空镀膜仪的真空度可达2×10-6mbar,镀膜细腻均匀,能够自动完成抽真空,镀膜,放气等全过程。
样品要求:
离子溅射电流15-150mA连续可调,厚度1-1000nm。
脉冲碳丝蒸发(专利) 镀膜厚度:1-100nm可调。
磁性不可测试,三方向电动马达驱动样品台。
精密增加试样表面导电膜!
已测试
19
次 平均
7
个工作日完成
100%
对测试结果满意
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微弧氧化(MAO)
1. 样品要求:切割好的、且所有表面磨至细800-1000的铝、镁、钛等金属块/片;
2. 常用规格:
10mm×10mm×10mm块体
,
2mm×10mm×20mm金属片
,其他尺寸的也可以。对于块状样品需钻出2-3mm深的孔,较薄的片状样品则钻穿即可(直径2.5mm);
3. 已有的MAO电解液成分:乙二醇、甲醇、乳酸、氟化氢铵、乙酸钠、磷酸钠、六偏磷酸钠、柠檬酸钠、硬脂酸、氢氧化钠、氢氧化钾、氟化钙、氟化钠、氟钛酸钾、甘油、过氧化氢、亚硫酸氢钠、过硫酸钾、过硫酸铵、三聚磷酸钠、醋酸银、纳米羟基磷灰石、钨酸钠、丙三醇、壳聚糖、纳米二氧化钛。具体药品可以列出,咨询各地项目经理。若自备药品,请尽量自备(按x g/L的用量的2-3倍准备,邮寄给我们;
4. 测试模式:恒压模式、恒流模式;
5. 目前此加工项目为
报价模式
,根据氧化时长具体确定收费,详情可咨询项目经理。
已测试
15
次 平均
7
个工作日完成
100%
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纳米团簇系统
主要功能:该仪器用于多室沉积镀膜
主要技术指标:Pumping:1250ls-1turbo&separatescrollbackingpump;Basepressure:5x10-10mbar24hrsafterbakeout
主要学科领域:材料科学
服务内容:薄膜沉积
用户须知:
已测试
24
次 平均
7
个工作日完成
100%
对测试结果满意
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PECVD镀膜机
主要功能:主要用于制备高质量介质、半导体、及金属薄膜
主要技术指标:样品台不小于8英寸, 具有水冷功能。 石英晶振膜厚控制系统,可自动稳定地控制蒸发速率以及最终膜厚。
主要学科领域:电子与通信技术
服务内容:
用户须知:
已测试
22
次 平均
7
个工作日完成
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热蒸发蒸镀镀膜机
热蒸发蒸镀镀膜机Evaporator
主要功能:1)4个电子束蒸发位和3个热阻蒸发位,可实现单一材料的镀膜,也可在真空不间断下进行多种类型膜层连续沉积; 2)红外辐照加热衬底系统,可实现衬底预加热去除表面水分子,也可在镀膜过程中对衬底进行持续加热提高薄膜致密度; 3)双石英晶振膜厚测量系统,可以精确控制薄膜沉积速率和最终沉积厚度; 4)可蒸镀铝、铜、钛、铬、金、银、铂、氧化硅、氧化铝、氧化锌等金属和非金属材料; 5) 多种规格样品尺寸挂架,可实现多片不同尺寸样品同时蒸发; -->服务内容: 薄膜沉积,样品制备,用户培训,技术咨询(未培训用户可代为制样,培训合格并授权用户可自行操作)
主要技术指标:1) 配备电子束蒸发和热阻(钨舟)蒸发两种镀膜方式; 2) 配置红外辐照衬底加热系统,最高可将衬底加热至350度,片与片间的温度均匀性+/-10度以内; 3) 配置冷凝泵和干泵,镀膜前真空度最高可实现1E-5Pa; 4) 配置双石英晶振膜厚测量系统,可对最终厚度和沉积速率进行设定并控制; 5) 配置不同样品夹具,可对4,3,2英寸直径圆片进行镀膜; 6)金属和非金属薄膜蒸发,片内膜厚均匀性优于5%,片间和批次间膜厚均匀性优于5%; -->样品要求: 各种尺寸衬底均可镀膜,小尺寸样品需通过高温胶带粘在2寸或者4寸硅片上; 衬底须事先清洗,去除表面污染和颗粒物方可进入反应腔室; 衬底不得带有水分或者挥发性物质;
主要学科领域:工程与技术科学基础学科
服务内容:主要用于沉积各种的金属薄膜,如Al,Ag,Ni等作为器件的电极材料;也可用于沉积各向异性的金属薄膜,用于lift-off图形化工艺;还可用于希望避免等离子轰击的镀膜场合,如有机器件等;
用户须知:
已测试
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